1、目前以及未來相當長的一段時間內，與微控制器應用相關的系統技術為：
（1）全盤cmos化。cmos電路具有眾多的優點，如極寬的工作電壓範圍、極佳的低功耗及功耗管理特性，已成為目前微控制器及外圍器件流行的半導體工藝。
（2）微控制器在片rom應用。目前微控制器已廣泛使用在片程式儲存器技術、最廣泛的應用狀態時otprom、flashrom、maskrom。
（3）以序列方式為主的外圍擴充套件。目前微控制器外圍器件普遍提供了序列擴充套件方式。序列擴充套件具有方便、靈活、電路簡單、占用i/o資源少等特點，是一種流行的擴充套件方式
。（4）8位機的主流地位
2、uart：通用非同步接收發器
3、算術/邏輯運算部件alu
（1）運算部件
包括邏輯部件alu、布林處理器、累加器acc、暫存器b、暫存器1和暫存器2、程式狀態暫存器psw以及十進位制調整電路。運算部件的功能是實現算術運算、位變數處理和數
ram的00~1fh為工作暫存器區，共分4個區，每區有8個工作暫存器r0~r7，共32個內部ram單元。
10、在使用者實際進行程式設計時，往往需要乙個後進先出（lifo）的ram區，以保護cpu現場。這種後進先出的快取區稱為堆疊。51微控制器中的堆疊，原則上可以設在內部
ram的任意區域內，但一般設在30h~7fh的範圍內，棧頂的位置由指標sp指出。
11、堆疊是為子程式呼叫和中斷操作而設定的。其具體功能有兩個：保護斷點和保護現場。
12、在sfr中可進行為定址的位元組，其十六進製制位址的末位，只能是0h或8h。
13、sfr暫存器的復位狀態：
sp：07h p0~p3：ffh sbuf：不定
14、位位址空間有兩個區域，及sfr中的位位址空間和片內ram中的20h~2fｈ的128位。
15、內部ram結構：00h~1fh：工作暫存器區 20h~2fh：位定址區 30h~7fh：資料快取區
16、定址方式：
（1）暫存器定址：工作暫存器r0~r7；部分sfr（a,b,cy,dptr暫存器）
（2）立即定址：rom
（3）暫存器漸漸誒定址：內部ram0h~ffh，外部ram
暫存器間接定址使用所選定暫存器區中的r0何r1作為位址指標（對堆疊操作時，使用堆疊棧頂指標sp），來定址內部書籍儲存器ram（00~ffh）的256個單元，但不能訪問sfr。
（4）直接定址：sfr、ram、位位址空間
這是唯一能訪問sfr的定址方式
（5）變址定址：rom
它以資料指標dprt或程式計數器pc作為基址暫存器，累加器a作為變址暫存器，兩者的內容相加形式16位程式儲存器位址，該位址就是運算元所在的位址。
（6）相對定址：rom
以當前程式計數器pc的內容為基址，加上指令給出的一位元組補碼數（偏移量）形成新的pc值的定址方式稱為相對定址。相對定址方式只修改pc值，故主要用於實現程式的分支轉移。
sjmp 08h ；pc+2+08h——>pc （該指令為兩位元組，所以有pc+2）
（7）位定址：位定址空間
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