預充電
由於sdram的定址具有獨占性，所以在進行完讀寫操作後，如果要對同一l-bank的另一行進行定址，就要將原來有效（工作）的行關閉，重新傳送行/列 位址。l-bank關閉現有工作行，準備開啟新行 的操作就是預充電（precharge）。預充電可以通過命令控制，也可以通過輔助設定讓晶元在每次讀寫操作之後自動進行預充電。實際上，預充電是一種對工作行 中所有儲存體進行資料重寫，並對行位址進行復位，同時釋放s-amp（重新加入比較電壓，一般是電容電壓的1/2，以幫助判斷讀取資料的邏輯電平，因為s-amp是通過乙個參考電壓與儲存體位線電壓的比較來判斷邏輯值的），以準備新行的工作。具體而言，就是將s-amp中的資料回寫，即使是沒有工作過的儲存體也會因行選通而使儲存電容受到干擾，所以也需要s-amp進行讀後重寫。此時，電容的電量 （或者說其產生的電壓）將是判斷邏輯狀態的依據（讀取時也需要），為此要設定乙個臨界值，一般為電容電量的1/2，超過它的為邏輯1，進行重寫，否則為邏 輯0，不進行重寫（等於放電）。為此，現在基本都將電容的另一端接入乙個指定的電壓（即1/2電容電壓），而不是接地，以幫助重寫時的比較與判斷。
現 在我們再回過頭看看讀寫操作時的命令時序圖，從中可以發現位址線a10控制著是否進行在讀寫之後當前l-bank自動進行預充電，這就是上文所說的「輔助 設定」。而在單獨的預充電命令中，a10則控制著是對指定的l-bank還是所有的l-bank（當有多個l-bank處於有效/活動狀態時）進行預充 電，前者需要提供l-bank的位址，後者只需將a10訊號置於高電平。在發出預充電命令之後，要經過一段時間才能允許傳送ras行有效命令開啟新的工作行，這個間隔被稱為trp（precharge command period，預充電有效週期）。和trcd、cl一樣，trp的單位也是時鐘週期數，具體值視時鐘頻率而定。
讀取時預充電時序圖
圖中設定：cl=2、bl=4、trp=2。自動預充電時的開始時間與此圖 一樣，只是沒有了單獨的預充電命令，並在發出讀取命令時，a10位址線要設為高電平（允許自動預充電）。可見控制好預充電啟動時間很重要，它可以在讀取操 作結束後立刻進入新行的定址，保證執行效率。
誤區： 讀寫情況下都要考慮寫回延遲 有些文章強調由於寫回操作而使讀/寫操作後都有一定的延遲，但從本文的介紹中寫可以看出，即使是讀後立即重寫的設計，由於是與資料輸出同步進行，並不存在 延遲。只有在寫操作後進行其他的操作時，才會有這方面的影響。寫操作雖然是0延遲進行，但每筆資料的真正寫入則需要乙個足夠的週期來保證，這段時間就是寫回週期 （twr）。所以預充電不能與寫操作同時進行 ，必須要在twr之後才能發出預充電命令，以確保資料的可靠寫入，否則重寫的資料可能是錯的，這就造成 了寫回延遲。
資料寫入時預充電操作時序圖
（注意其中的twr引數，由於它的存在，使預充電操作延後，從而造成寫回延遲）
之所以稱為dram，就是因為它要不斷進行重新整理（refresh）才能保留住資料，因此它是dram最重要的操作。重新整理操作與預充電中重寫的操作一樣，都是用s-amp先讀再寫。但為什麼有預充電操作還要進行重新整理呢？因為預充電是對乙個或所有l-bank中的工作行操作 ，並且是不定期的，而重新整理則是有固定的週期 ，依次對所有行 進行操作，以保留那些久久沒經歷重寫的儲存體中的資料。但與所有l-bank預充電不同的是， 這裡的行是指所有l-bank中位址相同的行，而預充電中各l-bank中的工作行位址並不是一定是相同的。
那麼要隔多長時間重複一次重新整理呢？目前公認的標準是，儲存體中電容的資料有效儲存期上限是64ms（毫秒，1/1000秒），也就是說每一行重新整理的迴圈週期是64ms。這樣重新整理速度 就是：行數量/64ms。我們在看記憶體規格時，經常會看到4096 refresh cycles/64ms或8192 refresh cycles/64ms的標識，這裡的4096與8192就代表這個晶元中每個l-bank的行數。重新整理命令一次對一行有效 ，傳送間隔也是隨總行數而變 化，4096行時為15.625μs（微秒，1/1000毫秒），8192行時就為7.8125μs。
重新整理操作分為兩種：自動重新整理 （auto refresh，簡稱ar）與自重新整理 （self refresh，簡稱sr）。不論是何種重新整理方式，都不需要外部提供行位址 資訊，因為這是乙個內部的自動操作 。對於ar，sdram內部有乙個行位址生成器 （也稱重新整理計數器）用來自動的依次生成 行位址。由於重新整理是針對一行中的所有儲存體進行，所以無需列定址 ，或者說cas在 ras之前有效。所以，ar又稱cbr（cas before ras，列提前於行定位）式重新整理。由於重新整理涉及到所有l-bank，因此在重新整理過程中，所有l-bank都停止工作 ，而每次重新整理所占用的時間為9個時鐘週期（pc133標準），之後就可進入正常的工作狀態，也就是說在這9 個時鐘期間內，所有工作指令只能等待而無法執行。64ms之後則再次對同一行進行重新整理，如此周而復始進行迴圈重新整理。顯然，重新整理操作肯定會對sdram的效能造成影響 ，但這是沒辦法的事情，也是dram相對於sram（靜態記憶體，無需重新整理仍能保留資料）取得成本優勢的同時所付出的代價 。
sr則主要用於休眠模式低功耗狀態下的資料儲存 ，這方面最著名的應用就是str（suspend to ram，休眠掛起於記憶體）。在發出ar命令時，將cke置於無效狀態，就進入了sr模式，此時不再依靠系統時鐘工作，而是根據內部的時鐘進行重新整理操作 。在 sr期間除了cke之外的所有外部訊號都是無效的（無需外部提供重新整理指令），只有重新使cke有效才能退出自重新整理模式並進入正常操作狀態。
資料掩碼
在講述讀/寫操作時，我們談到了突發長度 。如果bl=4，那麼也就是說一次就傳送4×64bit的資料。但是，如果其中的第二筆資料是不需要的，怎麼辦？還都傳輸嗎？為了遮蔽不需要的資料，人們採用了資料掩碼 （data i/o mask，簡稱dqm）技術。通過dqm，記憶體可以控制i/o埠取消哪些輸出或輸入的資料。這裡需要強調的是，在讀取時，被遮蔽的資料仍然會從儲存體傳出，只是在「掩碼邏輯單元」處被遮蔽。dqm由北橋控制，為了精確遮蔽乙個p-bank位寬中的每個位元組，每個dimm有8個dqm訊號線，每個訊號針對乙個位元組 。這樣，對於4bit位寬晶元，兩個晶元共用乙個dqm訊號線，對於8bit位寬晶元，乙個晶元占用乙個dqm訊號，而對於16bit位寬晶元， 則需要兩個dqm引腳。sdram官方規定，在讀取時dqm發出兩個時鐘週期後生效，而在寫入時，dqm與寫入命令一樣是立即成效。
讀取時資料掩碼操作，dqm在兩個週期後生效，突發週期的第二筆資料被取消
寫入時資料掩碼操作，dqm立即生效，突發週期的第二筆資料被取消
有關記憶體內部的基本操作就到此結束，其實還有很多記憶體的操作沒有描述，但都不是很重要了，限於篇幅與必要性，我們不在此介紹，有興趣的讀者可以自行檢視相關資料。
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