a部分標明的是生產此顆粒企業的名稱——hynix。b部分標明的是該記憶體模組的生產日期，以三個阿拉伯數字的形式表現。第乙個阿拉伯數字表示生產的年份，後面兩位數字表明是在該年的第xx周生產出來的。如上圖中的517表示該模組是在05年的第17周生產的。
c部分表示該記憶體顆粒的頻率、延遲引數。由1-3位字母和數字共同組成。其根據頻率、延遲引數不同，分別可以用「d5、d43、d4、j、m、k、h、l」8個字母/數字組合來表示。其含義分別為d5代表ddr500（250mhz），延遲為3-4-4；d43代表ddr433（216mhz），延遲為3-3-3；d4代表ddr400（200mhz），延遲為3-4-4；j代表ddr333（166mhz），延遲為2.5-3-3；m代表ddr266（133mhz），延遲為2-2-2；k代表ddr266a（133mhz），延遲為2-3-3；h代表ddr266b（133mhz），延遲為2.5-3-3；l代表ddr200（100mhz），延遲為2-2-2。
d部分編號實際上是由12個小部分組成，分別表示記憶體模組的容量、顆粒的位寬、工作電壓等資訊。具體詳細內容如圖二所示。
d部分編號12個小部分分解示意圖
採用現代顆粒的記憶體顆粒特寫
第1部分代表該顆粒的生產企業。「hy」是hynix的簡稱，代表著該顆粒是現代生產製造。第2部分代表產品家族，由兩位數字或字母組成，「5d」表示為ddr記憶體，「57」表示為sdram記憶體。
第3部分代表工作電壓，由乙個字母組成。其中含義為v代表vdd=3.3v & vddq=2.5v； u代表vdd=2.5v & vddq=2.5v；w代表vdd=2.5v & vddq=1.8v；s代表vdd=1.8v & vddq=1.8v來分別代表不同的工作電壓。
第4部分代表記憶體模組的容量和重新整理設定，由兩位數字或字母組成。對於ddr記憶體，分別由「64、66、28、56、57、12、1g」來代表不同的容量和重新整理設定。其中含義為：64代表64mb容量，4k重新整理；66代表64mb容量，2k重新整理； 28代表128mb容量，4k重新整理；56代表256mb容量，8k重新整理；57代表256mb容量，4k重新整理；12代表512mb容量，8k重新整理；1g代表1gb容量，8k重新整理。
第5部分代表該記憶體顆粒的位寬，由1個或2個數字組成。分為4種情況，分別用「4、8、16、32」來分別代表4bit、8bit、16bit和32bit。
第6部分表示的是bank數，由1個數字組成。有三種情況，分別是「1」代表2 bank，「2」代表4 bank，「4」代表8 bank。
第7部分代表介面型別，由乙個數字組成。分為三種情況，分別是「1」代表sstl_3，「2」代表sstl_2；「3」代表sstl_18。
第8部分代表該顆粒的版本，由乙個字母組成，這部分的字母在26個字母中的位置越*後，說明該記憶體顆粒的版本越新，目前為止hy記憶體共有5個版本，表現在編號上，空白表示第一版，「a」表示第二版，依次類推，到第5版則有「d」來代表。購買記憶體的時候版本越說明新電器效能越好。
第9部分代表的是功耗，如果該部分是空白，則說明該顆粒的功耗為普通，如果該部分出現了「l」字母，則代表該記憶體顆粒為低功耗。
第10部分代表記憶體的封裝型別，由乙個或兩個字母組成。由「t」代表tosp封裝，「q」代表lofp封裝，「f」代表fbga封裝，「fc」代表fbga（utc：8 x 13mm）封裝。
第11部分代表堆疊封裝，由乙個或兩個字母組成。空白代表普通；s代表hynix；k代表m&t；j代表其它；m代表mcp（hynix）；mu代表mcp（utc）。
第12部分代表封裝材料，由乙個字母組成。空白表示普通，「p」代表鉛，「h」代表鹵素，「r」代表鉛和鹵素。
總的說來，其實只要記住第2、3、6和c部分等幾處數字的實際含義，就能很輕鬆對使用現代ddr sdram記憶體顆粒的產品進行辨別。尤其是c部分數字，它將很明確的告訴消費者，這款記憶體實際的最高工作狀態是多少。
總的來說購買採用現代顆粒的ddr400記憶體條，最好購買編號是「hy******xdx」，對於ddr400記憶體來說編號的尾數最好是「d43」，因為「d」代表的是最新版的現代ddr記憶體顆粒，在超頻方面其表現非常出色的表現。而「d43」所代表的是216mhz的工作頻率，將其運用在ddr400記憶體中，實際上是將「d43」降頻為「d4」使用，具有很強的超頻能力。對於目前記憶體市場的發展和其***格來說，512mb/ddr400和ddr2/533記憶體是現在最值得購買的記憶體，無論是其**還是在用料上都是非常優惠和出色的，最後提醒大家的是購買記憶體時要注意售後服務.
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