微控制器中的各種儲存器

2021-06-03 14:15:31 字數 1107 閱讀 9335

eeprom和flash的最主要的區別

1.eeprom可以按位擦寫,而flash只能一大片一大片的擦。

2.eeprom一般容量都不大,如果大的話,相對與flash就沒有**上的優勢了。

3.eeprom讀的速度不需要那麼快,一般用於低端產品,**便宜,但是穩定性比flash好些。

4.eeprom的儲存單元是兩個管子而flash是乙個管子

5.flash和eeprom都是一種非易失性的記憶體。flash是介於eeprom的改進版本。

ram主要是做執行時資料儲存器,flash主要是程式儲存器,eeprom主要是用以在程式執行儲存一些需要掉電不丟失的資料。

ram,random access memory的縮寫。sdram sram dram都可以統稱ram。

sram(static random access memory):靜態隨機儲存器,就是它不需要重新整理電路,不像動態隨機儲存器那樣,每隔一段時間就要重新整理一次資料。但是他整合度比較低,不適合做容量大的記憶體,一般是用在處理器的快取裡面。像s3c2440的arm9處理器裡面就有4k的sram用來做cpu啟動時用的。隨機訪問是指儲存器的內容可以以任何順序訪問,而不管前一次訪問的是哪乙個位置。

dram:動態隨機儲存器。sdram只是其中的一種。

eprom:可擦除可程式設計儲存器,這東西也比較古老了,是eeprom的前身,在晶元的上面有個視窗,通過紫外線的照射來擦除資料。非常之麻煩。

prom:可程式設計唯讀儲存器,只能寫一次,寫錯了就得報廢,現在用得很少了,好像那些成本比較低的opt微控制器裡面用的就是這種儲存器吧。

nandflash和norflash都是現在用得比較多的非易失性快閃儲存器。nor採用的並行介面,其特點讀取的速度比之nand快很多倍,其程式可以直接在nor裡面執行。但是它的擦除速度比較慢,整合度低,成本高的。現在的nor的容量一般在2m左右,一般是用在**量小的嵌入式產品方面。還有就是在arm9的開發板上可以看見。

nand採用的是序列的介面,cpu從裡面讀取資料的速度很慢,所以一般用nand做快閃儲存器的話就必須把nand裡面的資料先讀到記憶體裡面,然後cpu才能夠執行。就跟電腦的硬碟樣的。但是它的整合度很高,我的arm9的開發板上面一塊256m的nand還沒有一塊2m的nor的一半大,所以成本很低。還有就是它的擦除速度也的nor要快。

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