**：
計算機技術的發展對儲存容量的需求越來越大，這首先要求單個儲存晶元具有更大的容量。從晶元製造工藝考慮，增加容量的一種方法是增加儲存矩陣的個數，由傳統的乙個增至2個、4個、8個或更多，稱這些儲存矩陣為bank。這些bank使用公共的位址緩衝、解碼、資料緩衝及讀／寫等控制邏輯，每一時刻只有乙個bank工作，bank的選擇是由新增的bank編碼輸入線決定。為和記憶體條的bank相區別，稱之為邏輯bank。
圖11．7所示是乙個容量為32 mb(256 mbit)的儲存晶元內部結構示意圖。從中可看出，它有4個儲存矩陣，即4個bank，設定了兩根bank編碼輸入引腳ba0、bal；它的資料線為8根，即它的晶元字為8位寬。圖中bank都標有「8 m×8」字樣，表示乙個bank容量為8 m個8 位(8 mb)。於是，4個bank即整個晶元的容量為8 m×8×4＝256 mbit＝32 mb。對於多bank晶元，面向使用者的儲存容量以「a×b×c」形式表示，其中a為每個bank的晶元字的個數，b為晶元字位數，即晶元資料寬度，c為bank的個數。這種形式也可體現出晶元內部的結構形式。例如，對於目前常用的64 mbit晶元，有三種結構形式，即三個型號的晶元：4 m
SDRAM的邏輯Bank與晶元容量表示方法
sdram的邏輯bank與晶元容量表示方法 2008 12 08 16 46 1 邏輯bank與晶元位寬 講完sdram的外在形式，就該深入了解sdram的內部結構了。這裡主要的概念就是邏輯bank。簡單地說，sdram的內部是乙個儲存陣列。因為如果是管道式儲存 就如排隊買票 就很難做到隨機訪問了。...
SDRAM的邏輯Bank與晶元容量表示方法
1 邏輯bank與晶元位寬 簡單地說，sdram的內部是乙個儲存陣列。因為如果是管道式儲存 就如排隊買票 就很難做到隨機訪問了。陣列就如同 一樣，將資料 填 進去，你可以把它想象成一張 和 的檢索原理一樣，先指定乙個行 row 再指定乙個列 column 我們就可以準確地找到所需要的單元格，這就是記...
SDRAM的邏輯Bank與晶元容量表示方法
sdram的內部是乙個儲存陣列。因為如果是管道式儲存 就如排隊買票 就很難做到隨機訪問了。陣列就如同 一樣，將資料 填 進去，你可以把它想象成一張 和 的檢索原理一樣，先指定乙個行 row 再指定乙個列 column 我們就可以準確地找到所需要的單元格，這就是記憶體晶元定址的基本原理。對於記憶體，這...