一、nor flash
1. nor flash的簡單介紹
nor flash是很常見的一種儲存晶元，資料掉電不會丟失。nor flash支援execute on chip，即程式可以直接在flash片內執行。這點和nand flash不一樣。因此，在嵌入是系統中，nor flash很適合作為啟動程式的儲存介質。nor flash的讀取和ram很類似，但不可以直接進行寫操作。對nor flash的寫操作需要遵循特定的命令序列，最終由晶元內部的控制單元完成寫操作。
從支援的最小訪問單元來看，nor flash一般分為8位的和16位的（當然，也有很多nor flash晶元同時支援8位模式和是16位模式，具體的工作模式通過特定的管腳進行選擇）。對8位的nor flash晶元，或是工作在8-bit模式的晶元來說，乙個位址對應乙個byte（8-bit）的資料。例如一塊8-bit的nor flash，假設容量為4個byte。那晶元應該有8個資料訊號d7-d0和2個位址訊號，a1-a0。位址0x0對應第0個byte，位址0x1對應於第1byte，位址0x2對應於第2個byte，而位址0x3則對應於第3個byte。.
對16位的nor flash晶元，或是工作在16-bit模式的晶元來說，乙個位址對應於乙個half-word（16-bit）的資料。例如，一塊16-bit的nor flash，假設其容量為4個byte。那晶元應該有16個資料訊號線d15-d0和1個位址訊號a0。位址0x0對應於晶元內部的第0個half-word，位址0x1對應於晶元內部的第1個half-word。
flash一般都分為很多個sector，每個sector包括一定數量的儲存單元。對有些大容量的flash，還分為不同的bank，每個bank包括一定數目的sector。flash的擦除操作一般都是以sector，bank或是整片flash為單位的。
2.處理器和nor flash的硬體連線
從前面的介紹，我們知道從處理器的角度來看，每個位址對應的是乙個byte的資料單元。而，nor flash的每個位址有可能對應的是乙個byte的資料單元，也有可能對應的是乙個half-word的資料單元。所以在硬體設計中，連線arm處理器和nor flash時，必須根據實際情況對位址訊號做特別的處理。
如果arm處理器外部擴充套件的是8-bit的nor flash，資料線和位址線的連線應該如圖1所示。從圖中我們可以看到，處理器的資料訊號d0-d7和flash的資料訊號d0-d7是一一對應連線的，處理器的位址訊號a0-an和nor flash的位址訊號a0-an也是一一對應連線的。
如果arm處理器外部擴充套件的是16-bit的nor flash，位址線必須要錯位連線。圖2給了乙個arm處理器和16-bit nor flash的連線示意圖。如圖2所示，arm處理器的資料訊號d0-d15和flash的資料訊號d0-d15是一一對應的。而arm處理器的位址訊號和nor flash的位址訊號是錯位連線的，arm的a0懸空，arm的a1連線flash的a0，arm的a2連線flash的a1，依次類推。
需要錯位連線的原因是：arm處理器的每個位址對應的是乙個byte的資料單元，而16-bit的flash的每個位址對應的是乙個half-word（16-bit）的資料單元。為了保持匹配，所以必須錯位連線。這樣，從arm處理器傳送出來的位址訊號的最低位a0對16-bit flash來說就被遮蔽掉了。
上面的描述可能比較抽象，下面讓我們來看2個arm處理器訪問16-bit flash的例子：
例子1：arm處理器需要從位址0x0讀取乙個byte
1 - arm處理器在位址線an-a0上送出訊號0x0；
2 – 16-bit flash在自己的位址訊號an-a0上看到的位址是0x0，
然後將位址0x0對應的16-bit資料單元輸出到d15-d0上；
3 – arm處理器知道訪問的是16-bit的flash，從d7-d0上讀取所需要的乙個byte的資料；
例子2：arm處理器需要從位址0x1讀取乙個byte
1 - arm處理器在位址線an-a0上送出訊號0x1；
2 – 16-bit flash在自己的位址訊號an-a0上看到的位址依然是0x0
，然後將位址0x0對應的16-bit資料單元輸出到d15-d0上；
3 –arm處理器知道訪問的是16-bit的flash，從d15-d8上讀取所需要的乙個byte的資料；
在上乙個小節裡，我們簡單了解了arm處理器和flash的硬體連線。在這個小節裡面，我們從軟體的角度來理解arm處理器和flash的連線。對於8-bit的flash的連線，很好理解，因為arm處理器和8-bit flash的每個位址對應的都是乙個byte的資料單元。所以位址連線毫無疑問是一一對應的。如果arm處理器連線的是16-bit的處理器，因為arm處理器的每個位址對應的是乙個byte的資料單元，而16-bit flash的每個位址對應的是乙個half-word的16-bit的資料單元。所以，也毫無疑問，arm處理器訪問16-bit處理器的時候，位址肯定是要錯開一位的。在寫flash驅動的時候，我們不需要知道位址錯位是由硬體實現的，還是是通過設定arm處理器內部的暫存器來實現的，只需要記住2點：
1 – arm處理器訪問8-bit flash的時候，位址是一一對應的；
2 – arm處理器訪問16-bit flash的時候，位址肯定是錯位的。這一點對理解後面的例子會很有幫助。
3.從軟體角度來看arm處理器和nor flash的連線
在本節後面的描述中，我們使用了下面的2個定義：
u32sysbase; //該變數用來表示flash的起始位址
#define sysaddr16(sysbase, offset) ((volatile u16*)(sysbase)+(offset)) //用來方便對指定的falsh位址進行操作
sysaddr16（sysbase, offset）首先定義了乙個16-bit half-word的指標，指標的位址為sysbase，然後根據offset做個偏移操作。因為half-word指標的位址是2個byte對齊的，所以每個偏移操作會使得位址加2。 最終，sysaddr16（sysbase, offset）相當於定義了乙個half-word的指標，其最終位址為（sysbase + 2*offset）。在使用sysaddr16的時候，將sysbase設定成flash的起始位址，offset則可以理解為相對於flash起始位址的half-word偏移量或是偏移位址。假設flash的起始位址為0x10000000，sysaddr16(0x10000000, 0)指向16-bit flash的第0個half-word, sysaddr16(0x10000000, 1)指向16-bit flash的第1個half-word。依次類推。如果要將0xabcd分別寫到flash的第0個和第1個half-word中去，可以用下面的**：
*sysaddr16(0x10000000, 0x0) = 0xabcd;
*sysaddr16(0x10000000, 0x1) = 0xabcd;
二、nand flash
1.nand flash位址分類
2、nand flash 位址的表示
512byte 需要9bit 來表示，對於528byte 系列的nand，這512byte 被分成1st half page register 和2nd half page register，各自的訪問由位址指標命令來選擇，a[7:0]就是所
謂的column address（列位址），在進行擦除操作時不需要它，why？因為以塊為單位擦除。32 個page 需要5bit 來表示，占用a[13:9]，即該page 在塊內的相對位址。a8 這一位位址被用來設定512byte 的1st half page 還是2nd half page，0 表示1st，1 表示2nd。block的位址是由a14 以上的bit 來表示。例如64mb（512mb）的nand flash（實際中由於存在spare area,故都大於這個值），共4096block，因此，需要12 個bit 來表示，即a[25:14]，如果是128mb(1gbit) 的528byte/page的nand flash，則block address 用a[26:14]表示。而page address 就是blcok address|pageaddress in block nand flash 的位址表示為： block address|page address inblock|halfpage pointer|column address 位址傳送順序是column address,pageaddress,block address。由於位址只能在i/o[7:0]上傳遞，因此，必須採用移位的方式進行。 例如，對於512mbit x8的nand flash，位址範圍是0~0x3ff_ffff，只要是這個範圍內的數值表示的位址都是有效的。
以nand_addr 為例：
第1 步是傳遞column address，就是nand_addr[7:0]，不需移位即可傳遞到i/o[7:0]上，
而halfpage pointer 即a8 是由操作指令決定的，即指令決定在哪個halfpage 上進行讀
寫，而真正的a8 的值是不需程式設計師關心的。
第2 步就是將nand_addr 右移9 位，將nand_addr[16:9]傳到i/o[7:0]上；
第3 步將nand_addr[24:17]放到i/o 上；
第4 步需要將nand_addr[25]放到i/o 上；
因此，整個位址傳遞過程需要4 步才能完成，即4-step addressing。 如果nand flash 的
容量是32mb（256mbit）以下，那麼，block adress 最高位只到bit24，因此定址只需要3
步。
嵌入式開發之NorFlash 和NandFlash
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Nor Flash 程式設計
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