nor
和nand
是現在市場上兩種主要的非易失快閃儲存器技術。
intel
於1988
年首先開發出
nor flash
技術，徹底改變了原先由
eprom
和eeprom
一統天下的局面。緊接著，
1989
年，東芝公司發表了
nand flash
結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆公升級。
一、儲存資料的原理
兩種快閃儲存器都是用三端器件作為儲存單元，分別為源極、漏極和柵極，與場效電晶體的工作原理相同，主要是利用電場的效應來控制源極與漏極之間的通斷，柵極的
電流消耗極小，不同的是場效電晶體為單柵極結構，而
flash
為雙柵極結構，在柵極與矽襯底之間增加了乙個浮置柵極。
浮置柵極是由氮化物夾在兩層二氧化矽材料之間構成的，中間的氮化物就是可以儲存電荷的電荷勢阱。上下兩層氧化物的厚度大於
50埃，以避免發生擊穿。
二、浮柵的重放電
向資料單元內寫入資料的過程就是向電荷勢阱注入電荷的過程，寫入資料有兩種技術，熱電子注入
(hot electron injection)
和f-n
隧道效應
(fowler nordheim tunneling)
，前一種是通過源極給浮柵充電，後一種是通過矽基層給浮柵充電。
nor型
flash
通過熱電子注入方式給浮柵充電，而
nand
則通過f-n
隧道效應給浮柵充電。
在寫入新資料之前，必須先將原來的資料擦除，這點跟硬碟不同，也就是將浮柵的電荷放掉，兩種
flash
都是通過
f-n隧道效應放電。
三、連線和編址方式
兩種flash
具有相同的儲存單元，工作原理也一樣，為了縮短訪問時間並不是對每個單元進行單獨的訪問操作，而是對一定數量的訪問單元進行集體操作，
nand
型flash
各儲存單元之間是串聯的，而
nor型
flash
各單元之間是併聯的；為了對全部的儲存單元有效管理，必須對儲存單元進行統一編址。
nand
器件使用復用的i/o口訪問資料，8個引腳分時用來傳送控制、位址和資料資訊。
nand
的全部儲存單元分為若干個塊，每個塊又分為若干個頁，每個頁是
512byte
，就是512個8
位數，就是說每個頁有
512條位線，每條位線下有
8個儲存單元；所以
nand
每次讀取資料時都是制定塊位址、頁位址、列位址
（列位址就是讀的頁內起始位址
）。每頁儲存的資料正好跟硬碟的乙個扇區儲存的資料相同，這是設計時為了方便與磁碟進行資料交換而特意安排的，那麼塊就類似硬碟的簇；容量不同，塊的數量不同，組成塊的頁的數量也不同。
nand flash
的讀寫操作是以頁為基本單位，
寫入資料也是首先在頁面緩衝區內緩衝，資料首先寫入這裡，再寫命令後，再統一寫入頁內，因此每次改寫乙個位元組，都要重寫整個頁，因為它只支援頁寫，而且如果頁內有未擦除的部分，則無法程式設計，在寫入前必須保證頁是空的。
nor的每個儲存單元以併聯的方式連線到位線，
它帶有sram介面，有足夠的位址引腳來定址，可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組。方便對每一位進行隨機訪問，它不需要驅動；具有專用的位址線，可以實現一次性的直接定址；縮短了
flash
對處理器指令的執行時間。
四、效能
1、速度
在寫資料和擦除資料時，
nand
由於支援整塊擦寫操作，所以速度比
nor要快得多，兩者相差近千倍；讀取時，由於
nand
要先向晶元傳送位址資訊進行定址才能開始讀寫資料，而它的位址資訊包括塊號、塊內頁號和頁內位元組號等部分，要順序選擇才能定位到要操作的位元組；這樣每進行一次資料訪問需要經過三次定址，至少要三個時鐘週期。
nor flash
的操作則是以字或位元組為單位進行的，直接讀取，所以讀取資料時，
nor有明顯優勢。但擦除是扇區操作的。
2、容量和成本
nor型
flash
的每個儲存單元與位線相連，增加了晶元內位線的數量，不利於儲存密度的提高。所以在面積和工藝相同的情況下，
nand
型flash
的容量比
nor要大得多，生產成本更低，也更容易生產大容量的晶元。
nor flash
佔據了容量為1～
16mb
快閃儲存器市場的大部分，而
nand flash
只是用在8～
128mb
的產品當中，這也說明
nor主要應用在**儲存介質中，
nand
適合於資料儲存，
nand
在compactflash
、secure digital
、pc cards
和mmc
儲存卡市場上所佔份額最大。
3、易用性
nand flash的
i/o埠採用復用的資料線和位址線，必須先通過暫存器序列地進行資料訪問，各個產品或廠商對訊號的定義不同，增加了應用的難度；
在使用nand器件時，必須先寫入驅動程式，才能繼續執行其他操作。向nand器件寫入資訊需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在nand器件上自始至終都必須進行虛擬對映。
nor flash
有專用的位址引腳來定址，較容易與其它晶元進行連線，另外還支援本地執行，應用程式可以直接在
flash
內部執行，可以簡化產品設計。
4、可靠性
nand flash相鄰單元之間較易發生位翻轉而導致壞塊出現，而且是隨機分布的，如果想在生產過程中消除壞塊會導致成品率太低、價效比很差，所以在出廠前要在高溫、高壓條件下檢測生產過程中產生的壞塊，寫入壞塊標記，防止使用時向壞塊寫入資料；但在使用過程中還難免產生新的壞塊，所以在使用的時候要配合
edc/ecc(
錯誤探測
/錯誤更正)和
bbm(
壞塊管理
)等軟體措施來保障資料的可靠性。壞塊管理軟體能夠發現並更換乙個讀寫失敗的區塊，將資料複製到乙個有效的區塊。
5、耐久性
flash由於寫入和擦除資料時會導致介質的氧化降解，導致晶元老化，在這個方面
nor尤甚，所以並不適合頻繁地擦寫，
nand
的擦寫次數是
100萬次，而
nor只有
10萬次。
nand flash啟動和nor flash啟動
1 nor flash啟動 cpu看到的0位址是在nor flash上 1 把bootloader燒寫在nor flash的0位址 2 上電時，從nor flash的0位址開始執行。3 比較大時需重定位，重定位時，把 從nor flash 複製到sdram上的鏈結位址 程式執行時應該位於的地方 2 ...
nand flash和nor flash啟動區別
1 介面區別 nor flash位址線和資料線分開，來了位址和控制訊號，資料就出來。nand flash位址線和資料線在一起，需要用程式來控制，才能出資料。通俗的說，就是光給位址不行，要先命令，再給位址，才能讀到nand的資料。而且都是在乙個匯流排完成的。結論是 arm無法從nand直接啟動。除非裝...
NANDFLASH 和NORFLASH的區別
nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃儲存器技術。intel於1988年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆公升...