nand flash 就是乙個flash快閃儲存器 ，儲存資料
而s3c2440a 又為nand flash 配有相應的控制暫存器，可以直接將flash 接上處理器
整個**：
整個資料中，關鍵是要看s3c2440a的晶元手冊，和nand flash 的手冊，我的nand flash是k9f2g08u0b ，整個flash的
commad sets ，其實整個資料的讀取，還是對其他裝置程式設計一樣，主要是開始對什麼是nand flash根本不知道，還是以為nanaflash 和ram是不是差不多，但是到現在才感覺到，nandflash就是乙個i資料儲存裝置，而且塊裝置，是用來做為資料儲存用的，只是s３ｃ２４４０ａ裡面整合了對應nandflash的介面晶元，這樣就可以直接就將這外部儲存裝置直接硬連線到匯流排上。
既然和一般的通過介面晶元控制的裝置一樣，那麼控制方式也是一樣，軟體控制硬體，軟體改變控制器中暫存器的資料，修改電平，控制硬體工作。
在看nandflash的過程中，主要是command ｓｅｔｓ需要知道，然後就是nandflash ｉｃ 的資料手冊，確實自己看得太少這種介紹硬體ｉｃ的手冊，根本不懂怎麼去看，憑著學數位電路的記憶，靠著感覺來把整個資料手冊給看了，而且還是英語，看起來的速度還是慢。
要點：１，位址空間，我這是共有２０４８個block，每個block有６４個ｐａｇｅ ，每頁 是 ２ｋ＋６４ｂｙｔｅｓ ，２ｋ是主資料儲存區域，儲存使用者資料，而６４所在的spare區域，前４ｂｙｔｅｓ和２ｂｙｔｅｓ是用來儲存ｍｅｃｃ和ｓｅｃｃ的，６４－４－２＝５８ bytes的空間，其實是可以用來自定義使用的 ，在定義模組為壞塊的時候，就可以在這個區域裡，加上乙個標誌，標識其為壞塊。
２，位址，在讀取和寫入資料的時候，因為儲存空間的原因，所以位址需要２９位，而這２９是分５次來傳輸的，column值頁內位址，而row值是頁位址；還有就是，因為每頁的位址空間是２ｋ＋６４，所以位址長度是１２位，而不是１１位。
３，鎖ｅｃｃ和解鎖ｅｃｃ，其是要鎖的目標是nandflash控制中的ｅｃｃ糾錯碼產生器，而不是ｎａｎｄｆｌａｓｈ中的ｅｃｃ儲存區；鎖，就是硬體計算ecc的功能關閉
４，往nandflash寫入資料前，需要將該block ｅｒａｓｅ ，然後在寫入資料，否則，寫零可以直接寫入，但是想在對應的ｂｉｔ上面寫１的話，就就是不可能的。
求教 s3c2440問題
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