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nand快閃儲存器晶元和nor快閃儲存器晶元的不同主要表現在：
1) 快閃儲存器晶元讀寫的基本單位不同
應用程式對nor晶元操作以「字」為基本單位。為了方便對大容量nor快閃儲存器的管理，通常將nor快閃儲存器分成大小為128kb或者64kb的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。應用程式對n an d晶元操作是以「塊」為基本單位。nand快閃儲存器的塊比較小，一般是8kb，然後每塊又分成頁，頁的大小一般是512位元組。要修改nand晶元中乙個位元組，必須重寫整個資料塊。
2）nor快閃儲存器是隨機儲存介質，用於資料量較小的場合；n and快閃儲存器是連續儲存介質，適合存放大的資料。
3) 由於nor位址線和資料線分開，所以nor晶元可以像sram一樣連在資料線上。nor晶元的使用也類似於通常的記憶體晶元，它的傳輸效率很高，可執行程式可以在晶元內執行( xi p, execute in place)，這樣應用程式可以直接在flash快閃儲存器內執行，不必再把** 讀到系統ram中。由於nor的這個特點，嵌入式系統中經常將nor晶元做啟動晶元使用。而nand共用位址和資料匯流排，需要額外聯結一些控制的輸入輸出，所以直接將nand晶元做啟動晶元比較難。
4) n an d快閃儲存器晶元因為共用位址和資料匯流排的原因，不允許對乙個位元組甚至乙個塊進行的資料清空，只能對乙個固定大小的區域進行清零操作；而nor晶元可以對字進行操作。所以在處理小資料量的i/o操作的時候的速度要快與nand的速度。比如一塊nor晶元通 常寫乙個字需要10微秒，那麼在32位匯流排上寫512位元組需要1280毫秒；而nand快閃儲存器寫512位元組需要的時間包括：512×每位元組50納秒+10微秒的尋頁時間+200微秒的片擦寫時間＝234微秒。
5）nand快閃儲存器的容量比較大，目前最大容量己經達到8g位元組。為了方便管理，nand的儲存空間使用了塊和頁兩級儲存體系，也就是說快閃儲存器的儲存空間是二維的，比如k9f5608uoa快閃儲存器塊的大小為16k，每頁的大小是512位元組，每頁還16位元組空閒區用來存放錯誤校驗碼空間(有時也稱為out-of-band，oob空間)；在進行寫操作的時候nand快閃儲存器每次將乙個位元組的資料放入內部的快取區，然後再發出「寫指令」進行寫操作。由於對nand快閃儲存器的操作都是以塊和頁為單位的，所以在向nand快閃儲存器進行大量資料的讀寫時，nand的速度要快於nor快閃儲存器。
6）nor快閃儲存器的可靠性要高於nand快閃儲存器，這主要是因為nor型快閃儲存器的介面簡單，資料操作少，位交換操作少，因此可靠性高，極少出現壞區塊，因而一般用在對可靠性要求高的地方。相反的，nand型快閃儲存器介面和操作均相對複雜，位交換操作也很多，關鍵性資料更是需安錯誤探測/錯誤更正〔edc/ecc)演算法來確保資料的完整性，因此出現問題的機率要大得多，壞區塊也是不可避免的，而且由於壞區塊是隨機分布的，連糾錯也無法做到。
7）nand flash一般位址線和資料線共用，對讀寫速度有一定影響；而nor flash快閃儲存器資料線和位址線分開，所以相對而言讀寫速度快一些。
nand和nor晶元的共性首先表現在向晶元中寫資料必須先將晶元中對應的內容清空，然後再寫入，也就是通常說的「先擦後寫」。只不過nor晶元只用擦寫乙個字，而nand需要擦寫整個塊。其次，快閃儲存器擦寫的次數都是有限的.當快閃儲存器的使用接近使用壽命的時候，經常會出現寫操作失敗；到達使用壽命時，快閃儲存器內部存放的資料雖然可以讀，但是不能再進行寫操作了所以為了防止上面問題的發生，不能對某個特定的區域反覆進行寫操作。通常nand的可擦寫次數高於nor晶元，但是由於nand通常是整塊擦寫，塊內的頁面中如果有一位失效整個塊就會失效，而且由於擦寫過程複雜，失敗的概率相對較高，所以從整體上來說nor的壽命較長。
另乙個共性是快閃儲存器的讀寫操作不僅僅是乙個物理操作，實際上在快閃儲存器上存放資料必須使用演算法實現，這個模組一般在驅動程式的mtd' (memory technology drivers)模組中或者在ftlz (flash translation layer)層內實現，具體演算法和晶元的生產廠商以及晶元型號有關係。
通過比較可以發現，nand更適用於複雜的檔案應用，但是由於nand晶元的使用相對複雜，所以對檔案系統有較高的要求。
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