在實際專案中，我們基本都用增強型mos管，分為n溝道和p溝道兩種。
我們常用的是nmos，因為其導通電阻小，且容易製造。在mos管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有乙個寄生二極體。這個叫體二極體，在驅動感性負載（如馬達），這個二極體很重要。順便說一句，體二極體只在單個的mos管中存在，在積體電路晶元內部通常是沒有的。
1.導通特性
nmos的特性，vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4v或10v就可以了。
pmos的特性，vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接vcc時的情況（高階驅動）。但是，雖然pmos可以很方便地用作高階驅動，但由於導通電阻大，**貴，替換種類少等原因，在高階驅動中，通常還是使用nmos。
2.mos開關管損失
不管是nmos還是pmos，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的mos管會減小導通損耗。現在的小功率mos管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
mos在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。mos兩端的電壓有乙個下降的過程，流過的電流有乙個上公升的過程，在這段時間內，mos管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越高，損失也越大。
導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。
3.mos管驅動
跟雙極性電晶體相比，一般認為使mos管導通不需要電流，只要gs電壓高於一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。
在mos管的結構中可以看到，在gs，gd之間存在寄生電容，而mos管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要乙個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計mos管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
第二注意的是，普遍用於高階驅動的nmos，導通時需要是柵極電壓大於源極電壓。而高階驅動的mos管導通時源極電壓與漏極電壓（vcc）相同，所以這時柵極電壓要比vcc大4v或10v。如果在同乙個系統裡，要得到比vcc大的電壓，就要專門的公升壓電路了。很多馬達驅動器都整合了電荷幫浦，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動mos管。
最小生成樹的兩種最基本的演算法
cain include using namespace std const int maxn 2005 const int inf 1e9 5 int edge maxn maxn int near maxn int low maxn int p,l,n void prim for int i 0...
兩種基本的搜尋
搜尋是個 暴力的 好東西，學一學還是很有必要滴 首先就是dfs了，這是個好東西 一般來說，它分為3個階段 遞迴 回溯 dfs dfs的過程就類似於走迷宮時死磕一條路，除非走到死胡同，不然一直走下去，並且它會把所有可走的路都走一遍，因此它的效率不高，所以我們通常會加一些優化。最常用的是剪枝和記憶化 剪...
兩種基本的資料結構
棧的基本操作包括入棧push和出棧pop，棧有乙個棧頂指標top，指向最新如棧的元素，入棧和出棧操作操作都是從棧頂端進行的。佇列的基本操作包括入隊enqueue和出隊dequeue，佇列有隊頭head和隊尾tail指標。元素總是從隊頭出，從隊尾入。採用陣列實現佇列時候，為了合理利用空間，可以採用迴圈...