SST MARM 儲存技術詳解

2021-06-28 03:18:31 字數 460 閱讀 2133



磁性隨機儲存器,簡稱stt-mram(spin-transfer torque magnetoresistence random access menory),也叫自旋轉移矩磁阻儲存記憶體,是一種非易失性儲存,其架構與傳統mram相同,但耗電量更少,具備速度極快和耗電量低的優點,具備更好的儲存密度拓展空間和資訊儲存能力。未來可望成為補充或者替代dram的產品之一。

stt-mram屬於第2代mram技術,據說能夠解決傳統mram結構所存在的一些問題,stt-mram是眾多競相成為下一代通用儲存器技術的方案之一,通用儲存器是指下一代平台,能夠滿足各種不同應用的需求,並取代目前所使用的dram、sram和快快閃儲存器儲器元件。

目前已經有多家半導體廠商在生產mram晶元產品,包括hynix、toshiba、everspin、grandis、crocus,而三星也表示2015開始生產。

9, jan, 2015

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