對於內部有rom的晶元，根據情況也可以擴充套件外部rom，雖然內、外程式儲存器總容量可以超過64kb，但其有效儲存空間只有64kb，內、外程式儲存器邏輯上將共用64k儲存空間。片內程式儲存器位址空間和片外程式儲存器的低位址空間重疊。51子系列重疊區域為0000h~0fffh，52子系列重疊區域為0000h~1fffh。
微控制器在執行指令時，對於低位址部分，是從片內程式儲存器取指令，還是從片外儲存器取指令，是根據微控制器晶元上的片外程式儲存器選用引腳ea電平的高低來決定的。微控制器復位後，如ea為低電平，則從片外程式儲存器開始取指令並執行；ea接高電平，則從片內程式儲存器取指令執行。對於8031和8032晶元，ea只能保持低電平，指令只能從片外程式儲存器取得。
當微控制器上電復位後ea為1時，程式從片內程式儲存器0000h單元開始執行。當執行到最後的內部rom單元後，轉到下乙個擁有相鄰位址的外部rom單元中執行，而不是從外部rom單元的0000h處開始執行。如8051有4k內部rom，位址空間0000h到0fffh。如果內部程式執行到0fffh後，下面將從外部rom的1000h處取指令繼續執行，儘管外部擴充套件的rom可能位址空間是000h~ffffh。要注意的是，在內部用到最高位位址進行無縫連線而不是重合。當微控制器上電復位後ea為1時，則程式將從片外程式儲存器0000h處開始執行，在任何時刻都不會執行到內部程式儲存器中。
程式執行順序
public class testa 類b public class testb 類 parent public class parent private testa testa2 newtesta parent變數 public parent parent的子類subclass public cl...
MFC程式執行順序
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