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sdram（synchronous dram）同步動態隨機儲存器：是pc 100和pc 133規範所廣泛使用的記憶體型別，它的頻寬為64位，3.3v電壓，目前產品的最高速度可達5ns。它與cpu使用相同的時鐘頻率進行資料交換，它的工作頻率是與cpu的外頻同步的，不存在延遲或等待時間。
sdram的內部是乙個儲存陣列，類似於一張**。和**的檢索原理一樣，先指定乙個行（row），再指定乙個列（column），就可以準確地找到所需要的單元格，這就是記憶體晶元定址的基本原理。對於記憶體，這個單元格可稱為儲存單元,那麼這個**（儲存陣列）叫什麼呢？它就是邏輯bank（logical bank，下文簡稱l-bank）。
1，物理bank：傳統記憶體系統為了保證cpu 的正常工作，必須一次傳輸完cpu 在乙個傳輸週期內所需要的資料。那時的記憶體必須要組織成p-bank 來與cpu 打交道，所以會出現兩根32bit的記憶體搭配才能跟64bit的奔騰cpu開機成功。
2，晶元位寬：為了組成p-bank所需的位寬，就需要多顆晶元併聯工作。組成64bit，對於16bit晶元，需要4 顆（4×16bit=64bit）。對於8bit 晶元，則就需要8 顆了。
3，邏輯bank：logical bank，sdram 的內部是乙個儲存陣列。陣列就如同**一樣，將資料「填」進去，你可以它想象成一張**。單一的l-ban k將會造成非常嚴重的定址衝突，大幅降低記憶體效率，所以人們在內部分割成多個l-bank。
4，記憶體晶元容量：儲存單元數量=行數×列數（得到乙個l-bank的儲存單元數量）×l-bank的數量，比如128mbit：2m x 16bit x 4 banks：第乙個數目是行列相乘的矩陣單元數目，第二個數目是單個儲存體的位寬，第三個是邏輯bank數目。
ddr應該叫ddr sdram，是double data rate sdram(synchronous dynamic random access memory，同步動態隨機儲存器)的縮寫，同步是指其時鐘頻率與cpu前端匯流排的系統時鐘頻率相同，動態是指儲存陣列需要不斷重新整理來保證資料不丟失，隨機是指資料可隨機儲存和訪問。
sdram在乙個時鐘週期內只傳輸一次資料，它是在時鐘的上公升期進行資料傳輸；而ddr記憶體則是乙個時鐘週期內傳輸兩次資料，它能夠在時鐘的上公升期和下降期各傳輸一次資料，因此稱為雙倍速率同步動態隨機儲存器。
dram製造商的一些資料中顯示，記憶體至少要每64ms重新整理一次，這也就意味著記憶體有1％的時間要用來重新整理。記憶體的自動重新整理對於記憶體廠商來說不是乙個難題，而關鍵在於當對記憶體單元進行讀取操作時保持記憶體的內容不變，所以dram單元每次讀取操作之後都要進行重新整理：執行一次回寫操作，因為讀取操作也會破壞記憶體中的電荷，也就是說對於記憶體中儲存的資料是具有破壞性的。所以記憶體不但要每64ms重新整理一次，每次讀操作之後也要重新整理一次。
ddr比sdram多了rank這個概念，在講rank之前，我們先了解一下ddr資料訪問，以64bits資料線為例，cpu每次從記憶體裡面存讀資料都是一次64bits，而我們知道記憶體顆粒（sdram）一般沒有64bits資料線的，大多為4bits，8bits或16bits。那麼為了湊夠cpu訪問所需的64bits該怎麼辦呢？當然是大夥一起湊了，即資料位擴充套件了。如果每個顆粒是8bits位寬，那麼就需要8個顆粒湊在一起，這八個顆粒組成一組，它的名字就叫rank。
一條記憶體條上有多少個rank，就表示有多少個這樣的分組，而在這個分組其實就是8片並在一起的sdram，這些sdram就是前面提到的三維立體空間的載體，也就是說bank。這個概念對於ddr來說就是指的顆粒（sdram）上的bank。
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