儲存器分為兩大類：
ram和
rom。
ram就不講了，今天主要討論
rom。
rom最初不能程式設計，出廠什麼內容就永遠什麼內容，不靈活。後來出現了
prom
，可以自己寫入一次，要是寫錯了，只能換一片，自認倒霉。人類文明不斷進步，終於出現了可多次擦除寫入的
eprom
，每次擦除要把晶元拿到紫外線上照一下，想一下你往微控制器上下了乙個程式之後發現有個地方需要加一句話，為此你要把微控制器放紫外燈下照半小時，然後才能再下一次，這麼折騰一天也改不了幾次。歷史的車輪不斷前進，偉大的
eeprom
出現了，拯救了一大批程式設計師，終於可以隨意的修改
rom中的內容了。
eeprom
的全稱是
「電可擦除可程式設計唯讀儲存器」，即
electricallyerasable programmable read-only memory
。是相對於紫外擦除的
rom來講的。但是今天已經存在多種
eeprom
的變種，變成了一類儲存器的統稱。
狹義的eeprom：這種
rom的特點是可以隨機訪問和修改任何乙個位元組，可以往每個
bit中寫入0或者
1。這是最傳統的一種
eeprom
，掉電後資料不丟失，可以儲存
100年，可以擦寫
100w
次。具有較高的可靠性，但是電路複雜
/成本也高。因此目前的
eeprom
都是幾十千位元組到幾百千位元組的，絕少有超過
512k
的。flash:
flash
屬於廣義的
eeprom
，因為它也是電擦除的
rom。但是為了區別於一般的按位元組為單位的擦寫的
eeprom
，我們都叫它
flash
。flash
做的改進就是擦除時不再以位元組為單位，而是以塊為單位，一次簡化了電路，資料密度更高，降低了成本。上m的
rom一般都是
flash
。flash
分為nor flash
和nandflash
。norflash
資料線和位址線分開，可以實現
ram一樣的隨機定址功能，可以讀取任何乙個位元組。但是擦除仍要按塊來擦。
nandflash
同樣是按塊擦除，但是資料線和位址線復用，不能利用位址線隨機定址。讀取只能按頁來讀取。（
nandflash
按塊來擦除，按頁來讀，
norflash
沒有頁）
由於nandflash
引腳上覆用，因此讀取速度比
nor flash
慢一點，但是擦除和寫入速度比
nor flash
快很多。
nandflash
內部電路更簡單，因此資料密度大，體積小，成本也低。因此大容量的
flash
都是nand
型的。小容量的2～
12m的
flash
多是nor
型的。使用壽命上，
nandflash
的擦除次數是
nor的數倍。而且
nandflash
可以標記壞塊，從而使軟體跳過壞塊。
norflash
一旦損壞便無法再用。
因為nor flash
可以進行位元組定址，所以程式可以在
norflash
中執行。嵌入式系統多用乙個小容量的
norflash
儲存引導**，用乙個大容量的
nandflash
存放檔案系統和核心。
注：關於儲存器與微控制器的關係，可以參考某文章，感謝作者的真知灼見：
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