NVM和DRAM混合儲存小結

與 ｄｒａｍ 相比，新型 ｎｖｍ 具有擴充套件性好、靜態能耗低以及非易失性等優勢，有望用於記憶體系統。

然而，ｎｖｍ 同樣存在著寫延遲長、寫功耗大等缺點，如 ｐｃｍ 的寫延遲為１５０ｎｓ左右，明顯大於 ｄｒａｍ 的寫延遲；ｄｒａｍ的寫能耗為４×１０－１５ｊ/ｂ，而ｐｃｍ 的寫能耗為６×１０－１２ｊ/ｂ，也顯著大於 ｄｒａｍ 的寫能耗。

將 ｎｖｍ 用 於記憶體系統有 ３ 種不同的記憶體 結構：

第１種 結 構 是 ｎｖｍ 完 全 替 代 ｄｒａｍ 作 為 記憶體；

第２種結構是 ｎｖｍ 與 ｄｒａｍ 構成混合記憶體，但二 者 處 於 同 一 層 次；

第 ３ 種 結 構 是 ｎｖｍ 與ｄｒａｍ 構 成 混 合 內 存，但 ｄｒａｍ 作 為 ｎｖｍ 的ｂｕｆｆｅｒ或者 ｃａｃｈｅ

一種是ｄｒａｍ&ｎｖｍ 混合記憶體是平行結構，另一種混合記憶體是層次結構，ｄｒａｍ 作為 ｐｃｍ 的

ｂｕｆｆｅｒ或者 ｃａｃｈｅ。

兩種混合記憶體結構各有優劣：

平行結構可以避免儲存相同資料，更好地利用 ｄｒａｍ的容量；

層次結構可以更好地快取頻繁訪問的資料，從而減少 ｄｒａｍ 和 ｐｃｍ 間的資料移動開銷。

ｎｖｍ 存 在 耐 久 性 問 題（即寫入壽命的問題），過 多 的 寫 會 導 致ｎｖｍ 儲存單元磨損，影響 ｎｖｍ 使用壽命。因此，要合理安排nvm和dram寫入的策略，避免nvm的過度磨損。例如，最小化寫入策略。

由於 ｎｖｍ 具有擴充套件性優勢，未來的記憶體容量配置可能是較小容量的 ｄｒａｍ 與較大容量的 ｎｖｍ 構成混合記憶體。

因此，合理配置記憶體的容量對記憶體系統效能也會有一些影響，需要進行測試找到合適的記憶體配置策略。

ｎｖｍ 相對於 ｄｒａｍ 的乙個明顯優勢是非易失性。

利用 ｎｖｍ 的 非 易 失 性，在 內 存 中 直 接 對一部分資料做持久化，這種使用方式對儲存系統效能（包括記憶體和外存）有何影響也是未來工作的乙個方向。

通過評測 ｎｖｍ記憶體的效能，分析了影響 ｎｖｍ 記憶體系統效能的因素．

通過評測，我們發現：

１）提高 ｎｖｍ　ｒａｎｋ並行度可以提高 ｎｖｍ 記憶體系統效能；

２）合理的位址對映策略可以提高 ｎｖｍ 訪存並行度，從而提高ｎｖｍ 記憶體系統的效能；

３）為了充 分 發揮 ｄｒａｍ&ｐｃｍ 混合記憶體中 ｄｒａｍ 和 ｐｃｍ 各自 的優勢，需要設計合理的資料放置和遷移策略．

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