DDR的物理BANK和邏輯BANK

2021-08-17 05:59:29 字數 1021 閱讀 5667



嚴 格的說ddr應該叫ddr sdram,是double data rate sdram(synchronous dynamic random access memory,同步動態隨機儲存器)的縮寫,同步是指其時鐘頻率與cpu前端匯流排的系統時鐘頻率相同,動態是指儲存陣列需要不斷重新整理來保證資料不丟失,隨 機是指資料可隨機儲存和訪問。

sdram在乙個時鐘週期內只傳輸一次資料,它是在時鐘的上公升期進行資料傳輸;而ddr記憶體則是乙個時鐘週期內傳輸兩次資料,它能夠在時鐘的上公升期和下降期各傳輸一次資料,因此稱為雙倍速率同步動態隨機儲存器。

dram 製造商的一些資料中顯示,記憶體至少要每64ms重新整理一次,這也就意味著記憶體有1%的時間要用來重新整理。記憶體的自動重新整理對於記憶體廠商來說不是乙個難題,而關鍵 在於當對記憶體單元進行讀取操作時保持記憶體的內容不變,所以dram單元每次讀取操作之後都要進行重新整理:執行一次回寫操作,因為讀取操作也會破壞記憶體中的電 荷,也就是說對於記憶體中儲存的資料是具有破壞性的。所以記憶體不但要每64ms重新整理一次,每次讀操作之後也要重新整理一次。

接著說明幾個sdram的概念:

1,物理bank:傳統記憶體系統為了保證cpu 的正常工作,必須一次傳輸完cpu 在乙個傳輸週期內所需要的資料。那時的記憶體必須要組織成p-bank 來與cpu 打交道,所以會出現兩根32bit的記憶體搭配才能跟64bit的奔騰cpu開機成功。

2,晶元位寬:為了組成p-bank所需的位寬,就需要多顆晶元併聯工作。組成64bit,對於16bit晶元,需要4 顆(4×16bit=64bit)。對於8bit 晶元,則就需要8 顆了。

3,邏輯bank:logical bank,sdram 的內部是乙個儲存陣列。陣列就如同**一樣,將資料「填」進去,你可以它想象成一張**。單一的l-ban k將會造成非常嚴重的定址衝突,大幅降低記憶體效率,所以人們在內部分割成多個l-bank。

4,記憶體晶元容量:儲存單元數量=行數×列數(得到乙個l-bank的儲存單元數量)×l-bank的數量,比如128mbit:2m x 16bit x 4 banks:第乙個數目是行列相乘的矩陣單元數目,第二個數目是單個儲存體的位寬,第三個是邏輯bank數目。

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