igbt是乙個非通即斷的開關，兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導通壓降兩方面的優點。
igbt（絕緣柵雙極型電晶體），是由bjt（雙極型三極體）和mos（絕緣柵型場效電晶體）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr（電力電晶體：
giant transistor—gtr
,直譯為巨型電晶體
）的低導通壓降兩方面的優點。gtr飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；mosfet驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。
igbt綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600v及以上的變流系統如交流電機、變頻器、
開關電源
、照明電路、牽引傳動等領域。下圖是n-igbt的剖面圖：
igbt就是乙個開關，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當柵源极加+12v（大於6v，一般取12v到15v）時igbt導通，柵源極不加電壓或者是加負壓時，igbt關斷，加負壓就是為了可靠關斷。
igbt沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。
igbt有三個端子，分別是g，d，s，在g和s兩端加上電壓後，內部的電子發生轉移（半導體材料的特點，這也是為什麼用半導體材料做電力電子開關的原因），本來是正離子和負離子一一對應，半導體材料呈中性，但是加上電壓後，電子在電壓的作用下，累積到一邊，形成了一層導電溝道，因為電子是可以導電的，變成了導體。如果撤掉加在gs兩端的電壓，這層導電的溝道就消失了，就不可以導電了，變成了絕緣體。
igbt
是—種場控器件
，它的開通和關斷由柵極和發射極間電壓u
ge決定，當柵射電壓u
ce為正且大於開啟電壓u
ce（th）時，mosfet內形成溝道並為pnp型電晶體提供基極電流進而使igbt導通，此時，從p+區注入n-的空穴（少數載流子）對n-區進行電導調製，減小n-區的電阻r
n，使高耐壓的igbt也具有很小的通態壓降。當柵射極間不加訊號或加反向電壓時，mosfet內的溝道消失，pnp型電晶體的基極電流被切斷，igbt即關斷。由此可知，igbt的驅動原理與mosfet基本相同。
所以想要驅動igbt，柵射間電壓u
ce為正且大於開啟電壓u
ce（th），才可保持導通。改變柵射間電壓u
ce 使其小於開啟電壓即可使其關斷。
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