a.2440沒有nor flash控制器,不需要進行初始化操作,2440的位址匯流排直接與nor相連(注意2440的bit1連線到nor的bit0),因此在向nor發位址的時候需要將位址左移一位發出
b.2440有nand flash控制器,需要對nand flash控制器進行初始化(初始化控制器來設定操作nand的時序)。
b.nand flash需要發出命令,位址,然後讀取資料a.nor可以像記憶體一樣直接讀取,例如讀取0位址的值時
volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)0;
val = *p;
這樣便可以讀出.
b.對於nand flash需要發出特定命令,位址進行讀取資料
nand flash一次讀取最少一頁資料,即2k的資料
a. nor在寫之前需要進行擦除,擦除之後便可以像記憶體一樣寫
b. nand燒寫需要發出特定的命令,同時一次至少會燒寫一頁,即2k的資料
a.nor可以選擇擦除某乙個扇區或者整個晶元
b.nand至少擦除乙個塊,即128k
NOR和NAND的區別
nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃儲存器技術。intel於1988年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統 天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成 本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面 輕...
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