非易失性儲存裝置寫資料掉電恢復策略

2021-08-25 20:05:49 字數 635 閱讀 8670

非易失性儲存裝置寫資料時掉電恢復是乙個比較頭痛的問題,如果寫入資料寫入到一半的時候掉電,資料的完整性就沒法得到保證,本文提出的方法是在不增加新硬體的情況下,完成掉電恢復的乙個策略,但是本文介紹的方法沒法保證資料邏輯上的完整性。比如你要寫入的資料需要在a

處寫1,在b

處寫2,才能保證功能的正確性,如果這兩步操作是分開的,並且你在寫a

的時候掉電了,那麼可以恢復a

,但是沒法恢復b

。就保證不是ab

這個大集合的完整性。只能保證寫a

的完整性。

原理:我們先要準備一塊非易失性的儲存區域。這個可以硬碟,也可以是一塊專門的高速儲存晶元。

這個備份所需的空間用於儲存臨時的檔案。

假設我們要寫的檔案的全路徑是/filpath

。我們在寫此檔案時,先將所需寫入內容的詳細資訊和入備份檔案/back/filepath

,然後將資料本身寫入

/back/filepath

,在寫入資料完成之後再寫入結束資訊。然後才將資料寫入檔案filepath。

上電啟動的時候遍歷備份檔案區內的檔案,並依照相關資訊,清除掉之前寫filepath

寫到一半時掉電的資料,再將備份區內的完整資訊再寫入,再清除掉備份檔案本身。

下面給出流程圖:

非易失性儲存器EEPROM

非易失性儲存器主要是用來存放固定資料 韌體程式等一般不需要經常改動的資料。目前主流非易失性儲存器主要有eeprom mram flash fram。eeprom選型 eeprom特點 eeprom解決了傳統rom otp只能出廠前或一次性固化程式而不利於除錯的問題 也突破了eprom必須離線用紫外線...

非易失性儲存器平衡方法

非易失性儲存器在高階節點上變得越來越複雜,在高階節點上的 和速度,功率和利用率正在成為一些非常特定於應用程式的折衷,以決定該儲存器的放置位置。nvm可以嵌入到晶元中,也可以使用各種型別的互連技術將其移出晶元。但是這個決定比它最初看起來要複雜得多。它取決於過程節點和電壓,nvm的型別以及其中儲存的內容...

everspin非易失性儲存器中MRAM的潛在用途

everspin非易失性儲存器中mram的潛在用途 與電子電荷儲存的資料可能會因使用情況,時間和溫度而洩漏和擊穿的相反,mram 磁性隨機訪問儲存器 使用1個電晶體 1個磁性隧道結 mtj 體系結構作為mtj的磁態作為資料儲存元素。由於mram將資料儲存為磁性狀態,因此與現有的非易失性儲存器相比,它...