參考文件:
nandflashecc校驗原理與實現
ecc簡介
由於nandflash的工藝不能保證nand的memoryarray在其生命周
期中保持效能的可靠，因此，在nand的生產中及使用過程中會產生壞塊。為了檢測資料的可靠性，在應用nandflash的系統中一般都會採用一定的壞
區管理策略，而管理壞區的前提是能比較可靠的進行壞區檢測。
如果操作時序和電路穩定性不存在問題的話，nandflash出錯的時候一般不會造成整個block或是page不能讀取或是全部出錯，而是整個page（例如512bytes）中只有乙個或幾個bit出錯。
對資料的校驗常用的有奇偶校驗、crc校驗等，而在nandflash處理中，一般使用一種比較專用的校驗——ecc。ecc能糾正單位元錯誤和檢測雙位元錯誤，而且計算速度很快，但對1位元以上的錯誤無法糾正，對2位元以上的錯誤不保證能檢測。
ecc原理
ecc一般每256位元組原始資料生成3位元組ecc校驗資料，這三位元組共24位元分成兩部分：6位元的列校驗和16位元的行校驗，多餘的兩個位元置1，如下圖所示：
ecc的列校驗和生成規則如下圖所示：
用數學表示式表示為：
p4=d7(+)d6(+)d5(+)d4 p4`=d3(+)d2(+)d1(+)d0
p2=d7(+)d6(+)d3(+)d2 p2`=d5(+)d4(+)d1(+)d0
p1=d7(+)d5(+)d3(+)d1 p1`=d6(+)d4(+)d2(+)d0
這裡(+)表示「位異或」操作
ecc的行校驗和生成規則如下圖所示：
用數學表示式表示為：
p8=bit7(+)bit6(+)bit5(+)bit4(+)bit3(+)bit2(+)bit1(+)bit0(+)p8
……………………………………………………………………………………
這裡(+)同樣表示「位異或」操作
當往nandflash的page中寫入資料的時候，每256位元組我們生成乙個ecc校驗和，稱之為原ecc校驗和，儲存到page的oob（out-of-band）資料區中。
當從nandflash中讀取資料的時候，每256位元組我們生成乙個ecc校驗和，稱之為新ecc校驗和。
校驗的時候，根據上述ecc生成原理不難推斷：將從oob區中讀出的原ecc校驗和新ecc校驗和按位異或，若結果為0，則表示不存在錯（或是出現了
ecc無法檢測的錯誤）；若3個位元組異或結果中存在11個位元位為1，表示存在乙個位元錯誤，且可糾正；若3個位元組異或結果中只存在1個位元位為1，表示
oob區出錯；其他情況均表示出現了無法糾正的錯誤。
ecc演算法的實現
staticconstu_charnand_ecc_precalc_table=
;// createsnon-invertedecccodefromlineparity
staticvoidnand_trans_result(u_charreg2,u_charreg3,u_char*ecc_code)
/*calculatesecondeccbyte*/
b=0x80;
for(i=0;i<4;i++)
/*storetwooftheeccbytes*/
ecc_code[0]=tmp1;
ecc_code[1]=tmp2;
}// calculate3byteecccodefor256byteblock
voidnand_calculate_ecc(constu_char*dat,u_char*ecc_code)
}/*createnon-invertedecccodefromlineparity*/
nand_trans_result(reg2,reg3,ecc_code);
/*calculatefinalecccode*/
ecc_code[0]=~ecc_code[0];
ecc_code[1]=~ecc_code[1];
ecc_code[2]=((~reg1)<<2)|0x03;
}// detectandcorrecta1biterrorfor256byteblock
intnand_correct_data(u_char*dat,u_char*read_ecc,u_char*calc_ecc)
else
c=0x80;
for(i=0;i<4;i++)
bit=0;
b=0x04;
c=0x80;
for(i=0;i<3;i++)
b=0x01;
a=dat[add];
a^=(b<>=1;
}while(d2)
while(d3)
if(i==1)
else}}
NAND Flash ECC演算法長度計算
nand flash中常用的糾錯方式 因為快閃儲存器中會有出錯的可能，如果沒有使用ecc模組，讀出的資料和寫入的資料會有不匹配的可能，也許乙個檔案中只有一兩個bit不匹配，這也是不能容忍的。相對來說slc中出錯概率比較低，所以使用乙個糾錯能力不強的hanming碼就可以了，在mlc中hanming碼...
NAND Flash ECC演算法長度計算
nand flash中常用的糾錯方式 因為快閃儲存器中會有出錯的可能，如果沒有使用ecc模組，讀出的資料和寫入的資料會有不匹配的可能，也許乙個檔案中只有一兩個bit不匹配，這也是不能容忍 的。相對來說slc中出錯概率比較低，所以使用乙個糾錯能力不強的hanming碼就可以了，在mlc中hanming...
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