5v同步整流降壓晶元方案

2021-09-27 04:49:24 字數 1155 閱讀 1055

pn8306m/h同步整流電源晶元,與pn8370、pn8386配合使用,輕鬆實現5v2a、5v2.4a、5v3.4a六級能效電源方案。

pn8306m 5v同步整流降壓晶元特性:

1、適用於dcm/qr工作模式的反激變換器,效率提高3%以上;

2、內建6/14mω 55v trench mosfet,典型應用5v2.4a/3.4a;/3、smart控制演算法實現零直通炸機風險;

4、vin耐壓高達24v,抗衝擊能力強;

5、內建高壓供電模組,同步控制不受輸出電壓波動影響,更可靠;

6、高精度次級電流檢測,同步整流關斷點精準,提高轉換效率,避免倒灌電流;

7、超強hbm esd設計, vin、vdet無需外串電阻,可滿足15kv空氣/8kv接觸esd標準;

8、最小導通時間可通過rt電阻調整以匹配變壓器設計,避免同步整流干擾psr取樣;

9、esop8裸銅散熱封裝,溫公升更低;

10、vin欠壓保護/過壓鉗位。

pn8370m+pn8306m 內建mos同步整流晶元六級能效方案亮點 :

外圍簡潔(節省8顆元件):pn8370m節省2顆啟動電阻;pn8306m獨特控制技術可實現零外圍工作,節省傳統sr方案的供電rc濾波,sw偵測電阻,rt電阻,rc吸收等6顆元件。

高可靠性:a.方案三道防線,實現sr與psr零直通風險;b.晶元hbm esd大於4kv,latchup電流大於400ma,顯著提高系統安規能力,接觸靜電高達15kv; c.psr與sr匹配工作,徹底避免小載取樣衝突,異常工況下,sr做好配角,psr主導所有異常保護。

低待機功耗:pn8370m內建高壓啟動,可輕鬆實現50mw待機功耗。

pn8306內建mos同步整流晶元因外圍精簡、emc效能卓越、支援任意工作模式、貼片封裝並無需散熱片,驪微電子廣泛於5v2a、5v2.4a、5v3.4a六級能效電源方案。

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