IS61LV25616晶元技術手冊

2021-09-28 14:45:51 字數 1533 閱讀 5415

cmos 低功耗執行

相容ttl介面電平

單3.3v±10%供電

全靜止操作:不需要提供時鐘或者重新整理

三態輸出

上下位元組的資料控制

工業溫度內可用

icsils61lv25616(後面簡稱25616)晶元是乙個高速的,4 194 304 bit靜態ram,其中包含262144個16位字長。它是通過icsi高效能cmos技術製造而成。這種高度可靠的工藝與電路設計技術相結合,製造出高效能,低功耗的裝置。

當c e‾

\overline}

ce是電平時(未被選中),這個裝置假定在等待模式狀,功耗可以降低到cmos輸入水平。

提供簡單記憶體擴充套件,設定晶元使能和輸出使能的輸入訊號,分別為ce‾

\overline}

ce和o e‾

\overline}

oe。低電平寫入使能we‾

\overline}

we在記憶體的讀取與寫入時都有效。允許高位元組(ub‾

\overline}

ub)和低位元組(lb‾

\overline}

lb)訪問。

25616被封裝成jedec標準44管腳400mil soj和48管腳 6*8tfbga。

功能塊框圖

管腳配置圖

管腳描述

a0-a17

位址輸入

i/o0-i/o15

資料輸入輸出

c e‾

\rm}

ce晶元使能輸入

o e‾

\rm}

oe輸出使能輸入

w e‾

\rm}

we寫入使能輸入

l b‾

\rm}

lb低位元組控制(i/o0~i/o7)

u b‾

\rm}

ub高位元組控制(i/o8~i/o15)

nc無連線

vcc電源

gnd地訊號

真值表狀態

w e‾

\rm}

wec e‾

\rm}

ceo e‾

\rm}

oel b‾

\rm}

lbu b‾

\rm}

ubio0~io7

io8~io15

vcc未被選xh

***高阻

高阻isb1,isb2

輸出禁止hx

llhx

xhxh

高阻高阻

icc

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