一、鐵氧體磁珠選型
通用型片式鐵氧體磁珠是應用最為廣泛的emi抑制元件，一般根據生產廠家提供的資料和阻抗頻率曲線選擇使用。廠家通常提供阻抗、直流電阻、額定電流等資料和阻抗頻率曲線。不同的磁珠，其阻抗z隨頻率的上公升趨勢是不同的。
選擇時要注意：在有用的訊號頻率範圍內，阻抗應盡可能低，不致於造成訊號衰減和畸變，而在需要抑制的emi頻率範圍內，阻抗應盡可能高，能夠有效抑制高頻雜訊。同時還要考慮直流電阻和額定電流大小。
如果超過額定電流使用，將會使磁珠接近飽和，磁導率下降，以致抑制高頻雜訊的效果明顯減弱，這是不允許的。
設計中可以依據需要抑制的emi訊號的頻率和強度，要求抑制的效果以及允許占用空間來選擇合適的鐵氧體磁珠，以保證對雜訊進行更有效的抑制。
1）磁導率與最佳抑制頻率範圍有關，在有dc或低頻ac電流的情況下，應盡量選用磁導率低的材料，以防止抑制效能的下降和飽和。
2）磁珠形狀和尺寸對emi訊號的抑制有一定的影響，一般來說，磁珠的體積越大，抑制效果越好。在有dc或ac電流的情況下，磁珠的橫截面積越大越不容易飽和。總之，在空間的允許範圍內，選擇盡量長、盡量厚和內孔盡量小的磁珠。
二、鐵氧體磁珠的安裝位置
在去耦電路中，為了進一步提高去耦電容的效果，可以在去耦電容的電源側放置乙個磁珠（電源先經過磁珠再到電容，磁珠和去耦電容組合可以看成乙個低通濾波器。
鐵氧體磁珠對高頻電流呈較大的阻抗，所以阻止了電源向電路提供高頻電流，增強了去耦電容的效果。選用的磁珠應該是專門用來電磁干擾抑制的鐵氧體磁珠，這種磁珠在頻率較高時，呈現電阻特性，不會引起額外的諧振。
需要注意的是鐵氧體磁珠的位置，絕對不能放在去耦電容靠近ic的一側，如果放置在靠近ic一側，等於增加了電容輸出電荷的阻抗，降低了去耦電容的效果。
三、鐵氧體磁珠飽和
鐵氧體磁珠是磁性材料，會因流過的電流過大而產生磁飽和，當流過的電流大於額定電流的20%會導致磁珠飽和，使磁導率下降，以致抑制高頻雜訊的效果明顯下降，對於小訊號濾波可以忽略電流，但是對於電源線或大功率訊號濾波而言，必須要考慮峰值電流。
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