全稱是dynamic random access memory，動態隨機儲存器，這裡需要對名詞做分解：
儲存器儲存的是電荷，儲存的介質是乙個電容和乙個電晶體，即乙個儲存器單元由乙個電容和乙個電晶體（根據實際的涉及也並不一定是乙個電晶體）構成。如果電容中的電荷多則表示1，電荷少則表示0。因此乙個儲存單元存放乙個位元。
隨機指的讀寫資料的位置和時間無關。
動態指的是儲存器單元的電容是易失的，需要週期性的充電來重新整理，否則資料將丟失。
dram是組成易失儲存介質（volatile storage）的基礎。
全稱是synchronous dynamic random access memory，就是增加了同步介面的dram。
同步是為了使dram跟計算器系統適配。
sdram是構成記憶體條的基礎。
對記憶體了解有限，陸續更新中......
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