MSP430常見問題之FLASH儲存類

2021-09-06 12:05:31 字數 1742 閱讀 5713

q1:用iar embedded workbench for msp430 通過jtag往msp430上寫程式。為了知道片內程式的版本,必須讀出flash 中內容。什麼工具軟體可以通過jtag口實現這個功能?

a1:熔絲未燒斷的話,做個空程式的專案,然後在c-spy選項裡選擇保留未改變的區域,debug後看memory裡的內容!熔絲燒斷的話只能用程式設計器或bsl,如果加密了,只能通過bsl來讀了,不過你要知道中斷向量表的32個位元組的內容,即密碼。

q2:msp430f449中我想把乙個整形的數a存入某地方掉電也不丟失,作為以後程式執行的引數。是放在flash裡面嗎?用**怎麼實現?

a2:如果只是個巴位元組的話就把它作為陣列或者變數定義到flash就可以了。如: const unsigned char value@0x0c000;

q3: 430裡面flash的主儲存區和資訊儲存區有什麼區別麼?是不是程式是儲存在主儲存區裡面的?那資訊儲存區是存什麼資訊的呢?存進去之後是不是隨時能夠讀寫出來呢?

a3: flash分主flash和資訊flash。如你所說,flash主儲存區主要來儲存程式。資訊flash就是儲存資料用的,可以隨時讀取。不過從物理特性而言他們是一模一樣的,就段的長度有區別。當然資訊段你也可以用來儲存程式使用。

q4:在flash 單位元組寫的時候,如我寫在d區,可以不用全部清d區嗎?因為d區還有先前儲存的資料.

a4: 不可以。只能先讀出然後全部擦除再重新寫入,如果flash可以如您說的那麼操作,那就是eeprom了

q5: 目前使用的微控制器是5v供電,買的flash儲存晶元3.3v供電,微控制器和儲存晶元的連線是怎麼的呢?我檢視一些相關資料,說是可以直接連線,但是直接連線有問題,請問如何連線??需要什麼樣的方法??

a5: 最好在flash與mcu之間接乙個電平轉換晶元, 或者用mofet管轉換一下電平。

q6:請問擦寫flash 選擇頻率時,有沒有要特別注意的,如果我用8m的,不分頻,這樣可以嗎?

a6:要注意啊,擦寫flash的頻率在250~470k(具體可以查查手冊);必須對fctl2進行設定,使頻率在這個範圍內。

q7: 用jtag介面往430 中寫程式會不會破壞原有flash資訊段儲存的資料啊?

a7:取消擦除資訊段選項,即在iar project 的options 選項中debug 下的選項。

q8:從資料手冊上來看,在寫的過程中,好像要求判斷busy位來決定接下來的操作,可是為什麼ti的例程裡面沒有判斷busy bit ?是不是mcu會自動判斷?

a8:430對flash的寫操作多種。比如塊寫(××ockwrite)和位元組/字寫(byte/wordwrite),在不同模式下,允許寫的操作也不同。比如在位元組寫(byte write)操作下,允許在flash memory或在ram下進行。當在flash memory下進行寫操作時,此時cpu是掛起的,直到寫操作完成它才能執行下乙個指令操作,但是當擦除程式是在ram內初始化的,那麼cpu就可以一直執行,如果不判斷busy位的話,當ram內**執行完畢(us級),pc跳轉到flash,而此時flash還再做擦除操作(ms級)就會造成非法訪問,產生不可遮蔽中斷。

q9:msp430的編譯器預設是將陣列定義在ram 裡面。請問如果我要將定義的陣列直接儲存在flash裡面應該如何定義呢?是不是要修改編譯器的某個配置資訊,然後直接用const 定義呢?

a9:這個如何分配,以及用什麼關鍵字都是由編譯器決定的,如果你用的是iar embedded workbench for 430,那再在陣列宣告的時候,前面加乙個const那麼在編譯的時候就會將陣列分配到flash空間。如果不加const預設的情況是分配到ram空間的。

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