參考資料：計算機系統的深入了解，第六章
6.1.1 隨機訪問儲存器ram
1.靜態ram（sram）與動態ram（dram）
首先。要有的基本概念：sram儲存乙個位的結構要六個電晶體，dram儲存乙個位的結構為乙個電容（dram可達到較sram更高的密度）。因此sram比dram更加昂貴，帶來的效果是訪問更快。（乙個桌面系統sram不超過幾兆位元組，dram可有幾百到幾千兆位元組）
然後。乙個高階點的概念。sram有穩定狀態。dram（電容）有非常多情況形成漏電使得dram須要每過乙個週期時間就要通過「又一次讀出，再次寫入」來重新整理每一位。
（也有些dram用糾錯碼如用38bit來編碼32個位來解決問題）
最後。sram用來作為快速快取。能夠on-chip，也能夠off-chip（能夠和cpu坐在乙個chip上，也能夠和chip分開）；dram用來做main memory和圖形系統的幀緩衝區（預計就是「顯示卡」）。
2.傳統dram的形象是如何的？
w個dram單元（乙個單元儲存乙個bit）形成乙個supercell（假設dram晶元是乙個矩陣，那麼乙個supercell就是乙個矩陣元素）---》
d個supercell組成a*b的矩陣形式。形成乙個dram晶元，這樣這塊晶元有a*b*w個bit（之所以d個supercell組成矩陣而不是線性陣列的原因是為了減少晶元上位址引腳的數量。
多塊dram晶元包裝在儲存器模組（memory module）中。這個memory module是柴刀主機板的擴充套件槽上的。---》
晶元通過叫做pin的外部聯結器流入和流出晶元
3.怎樣訪問主存
首先。明白計算機中是誰要訪問主存？是cpu。
而主存是存在於cpu之外的（off the chip）
然後，概括的講訪問主存的流程：資料流通過成為匯流排（bus）的共享電子電路在cpu和dram之間來來回回。
具體一點地說。
1）不同計算機系統對於匯流排有不同的設計，本書採用的是當中一種高階匯流排體系結構，詳細結構見圖6-6.因此，這裡講的cpu怎樣怎樣對main memory訪問是基於這個匯流排體系結構的。
2）資料通過匯流排（此體系中有系統匯流排和儲存器匯流排）在晶元之間（cpu--i/o橋--main memory）流動。
4.儲存器層次結構中各層次的速度基本概念
最高層指的是cpu暫存器（顧名思義，應該是在chip上面）。訪問速度為乙個時鐘週期；
接下來是較小的（幾兆）基於sram的快速快取儲存器，能夠在幾個2~4個時鐘週期訪問（ns級）；
然後是較大的（幾百兆~千兆）基於dram的主存，能夠在10~10^2個時鐘週期內訪問。
接下來是容量非常大的本地磁碟，訪問時間是dram所需時間的10^3倍（如2500倍。ms級）；
最後，是一層在遠端的server磁碟。需要訪問他們通過網路。
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