在實際應用中，經常需要在程式執行過程中儲存或讀取一些資料，這些資料在工作中經常會變化，而且掉電後也不能丟失，所以需要及時地進行儲存，儲存這些資料常用的儲存器是 eeprom。
stm32 雖然本身不帶 eeprom，但是它支援自程式設計技術，可以利用內部 flash 來模擬 eeprom，這樣不僅簡化了設計，而且降低了成本。
flash 的擦寫次數是有限的，一般是 10w 次， flash 單個儲存單元bit只能從1變為0，而不能從0變成1。
想要變成1，只能 page 擦除，這裡的 page 表示乙個擦除單位，擦除過程就是把 page 所有的位都寫1，這種硬體特性決定需要一種比較高效的寫 flash 演算法。
總不能一次更改數值時擦除整一大片 flash。
1、均值儲存演算法
劃分：0x10*n +0x00 +0x01 +0x02 ... +0x0e +0x0f
內容： flag data1 data2 ... data14 data15 check_sum
check_sum=(flag+data1+data2+...+data15)&0xff
flag 為 0xa5 表示當前 16 個位元組為正在使用的記錄，為其它值表示當前 16 位元組已經丟棄。
這種儲存方法是使用空間來換取擦寫次數。
2、具體實現
1）定義 flash 頁大小，儲存資料大小：
#define flash_page 1024
#define flash_datapack 16
typedef struct eepromtypedef;// flash 寫函式
void flashwrite( eepromtypedef *flash_16 )
else if ( flash_16->write < 64 && flag != 0xff ) // 如果位址在一頁內卻有資料儲存
else if(flash_16->write >= 64 ) // 如果位址不在一頁內
}
// flash 讀函式
void flashread(eepromtypedef *flash_16)
else if(flash_16->read < 64 && flag != 0xa5) // 如果位址在一頁之內但資料無效
｛
if(flag != 0xff)
}
else if(flash_16->read >= 64) // 如果位址不在一頁之內
}
PCM和flash的均衡演算法
前面的幾篇文章已經說明了pcm的特性，它可以和傳統的dram構成混合記憶體提高計算機系統的效能的同時降低記憶體功耗。然而仍然有人提出將pcm用於外存，這種非易失的新型儲存器用於外存必將大幅提高計算機的速度。但是鑑於pcm的 較高，所以可以使用pcm和flash的混合外存。首先介紹flash，快閃儲存...
stm32 讀寫內部Flash
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STM32 讀寫內部Flash
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