RAM和ROM的相關知識

2021-09-13 18:04:56 字數 1817 閱讀 3494

只能讀事先所儲存資料的固態半導體儲存器,一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中,並且資料不會因為電源關閉而消失。現在大多數由場效電晶體製成。衍生有以下幾類

僅僅可以寫錄一次,需要通過電流講起內部的行列式熔絲燒斷,寫入所需要的資料,典型結構是「雙極性熔絲結構」,另外還有使用「肖特基二極體」的prom。

可程式設計可擦出唯讀儲存器。早期的需要用紫外光對其進行擦除,使用不方便,抹除時需要將其**於紫外線下,才可清空資料,製作前需要留乙個石英透明窗以方便**。

電子式可抹除可程式設計唯讀儲存器,類似eprom,抹除的方式是使用高電場來完成,因此不需要透明窗。

快快閃儲存器儲器的每乙個記憶胞都具有乙個「控制閘」與「浮動閘」,利用高電場改變浮動閘的臨限電壓即可進行程式設計動作。

是與cpu直接交換資料的內部儲存器。它可以隨時讀寫(重新整理時除外),而且速度很快,通常作為作業系統或其他正在執行中的程式的臨時資料儲存介質。用來載入各式各樣的程式與資料以供cpu直接執行與運用。衍生的有:

靜態隨機訪問儲存器,所謂的「靜態」,是指這種儲存器只要保持通電,裡面儲存的資料就可以恆常保持。相對之下,動態隨機訪問儲存器(dram)裡面所儲存的資料就需要周期性地更新。然而,當電力**停止時,sram儲存的資料還是會消失(被稱為volatile memory),這與在斷電後還能儲存資料的rom或快閃儲存器是不同的。

sram的基本單元有3種狀態:standby (電路處於空閒), reading(讀取)與writing(寫入). sram的讀取或寫入模式必須分別具有"readability"(可讀)與"write stability"(寫入穩定)。

sram是比dram更為昂貴,但更為快速、非常低功耗(特別是在空閒狀態)。因此sram首選用於頻寬要求高,或者功耗要求低,或者二者兼而有之。sram比起dram更為容易控制,也更是隨機訪問。由於複雜的內部結構,sram比dram的占用面積更大,因而不適合用於更高儲存密度低成本的應用,如pc記憶體

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一種半導體

儲存器,主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表乙個二進位制

位元(bit)是1還是0。由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象,導致電容上所儲存的電荷數量並不足以正確的判別資料,而導致資料毀損。因此對於dram來說,周期性地充電是乙個無可避免的要件。由於這種需要定時重新整理的特性,因此被稱為「動態」儲存器。相對來說,靜態儲存器(sram)只要存入資料後,縱使不重新整理也不會丟失記憶。

與sram相比,dram的優勢在於結構簡單——每乙個位元的資料都只需乙個電容跟乙個電晶體來處理,相比之下在sram上乙個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故,dram擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的,dram也有訪問速度較慢,耗電量較大的缺點。與大部分的隨機訪問儲存器(ram)一樣,由於存在dram中的資料會在電力切斷以後很快消失,因此它屬於一種易失性儲存器(volatile memory)裝置。

ram-random access memory易揮發性隨機訪問儲存器,高速訪問,讀寫時間相等,且與位址無關,如計算機記憶體等。

rom-read only memory唯讀儲存器。斷電後資訊不丟失,如計算機啟動用的bios晶元。訪問速度很低,(較ram而言)且不能改寫。由於不能改寫資訊,不能公升級,現已很少使用。

eprom、eeprom、flash rom(nor flash 和 nand flash),效能同rom,但可改寫。一般讀出比寫入快,寫入需要比讀出更高的電壓(讀5v寫12v)。而flash可以在相同電壓下讀寫,且容量大、成本低,如今在u盤、***中使用廣泛。在計算機系統裡,ram一般用作記憶體,rom用來存放一些硬體的驅動程式,也就是韌體。

ram為易失型隨機訪問儲存器;

rom為非易失性唯讀儲存器;

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