【techweb】新華社報道，記者近日從位於西安高新區的三星（中國）半導體****採訪了解到，三星半導體高階儲存晶元二期專案總投資將超過140億美元。二期專案已於2023年3月開工建設，預計今年7月份建成，2023年一季度實現量產。
三星（中國）半導體****副總裁池賢基在採訪中說，三星半導體的儲存晶元二期專案分為兩個階段，第一階段投資70億美元，第二階段詳細計畫還未出爐，但預計會超過70億美元，總投資將超過140億美元。
2023年，西安高新區成功引進三星電子儲存晶元專案，生產「v－nand」快閃儲存器晶元。一期專案於2023年5月竣工投產。「一期專案計畫投資70億美元，實際總投資超過了100億美元。」池賢基說。
據介紹，直接在中國生產「v－nand」快閃儲存器晶元，將使三星更有效率地應對市場的變化和顧客的需求。池賢基說，三星半導體繼續投建二期專案，表示他們對中國經濟很有信心。
v-nand有著在相同體積下容量增加、讀寫效能提公升的優勢。而三星的v-nand儲存硬碟處於市場前列，主要競爭對手來自美國的硬碟廠商威騰電子。
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