儲存器是積體電路最重要的技術之一，能否開發自主智財權的儲存器晶元事關國家資訊保安。
目前，國際上通用的儲存器材料是「鍺銻碲」。近年來，消費電子產品的普及對儲存器晶元的功耗、壽命、尺寸、持久力等各項效能指標均提出了更高要求，世界各國科學家都在加緊攻關儲存器晶元的製造材料。
宋志棠團隊通過第一性理論計算與分子動力學模擬，從眾多「候選」元素中，優選出「鈧」作為摻雜元素，設計發明了低功耗、長壽命、高穩定性的「鈧銻碲」材料。
「鈧元素與碲元素可以形成穩定的八面體，這對實現高速、低功耗儲存至關重要。」宋志棠介紹，基於「鈧銻碲」材料的新型儲存器可實現700皮秒的高速儲存操作，迴圈使用壽命大於1000萬次。
進一步測試表明，相比傳統「鍺銻碲」器件，「鈧銻碲」新材料的操作功耗降低了90%，且十年的資料保持力相當；通過進一步優化材料與微縮器件尺寸，基於「鈧銻碲」新材料的國產新型儲存器綜合性能將會進一步提公升。
業內人士認為，「鈧銻碲」國產新型儲存材料的發現及其在高密度、高速儲存器上的應用驗證，對於我國突破國外技術壁壘、開發自主智財權的儲存器晶元具有重要價值，有助於維護我國儲存器晶元的資訊保安。
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