英特爾發布4款3D快閃儲存器SSD,稱密度有史以來最高

2021-09-23 05:19:17 字數 1696 閱讀 2518

英特爾已經推出了自己的首款3d nand ssd,公升級了三款nvme ssd,有4個型號,並宣稱擁有業界密度最高的3d nand。

現有的ds p3500、p3600和p3700產品採用20奈米mlc快閃儲存器技術,p3500和p3600是在2023年6月推出,p3700是在去年9月推出,一同發布的還有p3608(乙個ssd包中有兩個p3600)。

dc p3500(dc的意思是資料中心)被p3320和即將推出的p3500取代,現有的p3600和p3700將被dc d3600和dc d3700取代。

這裡英特爾說的最高密度,是英特爾/美光浮柵單元技術的gb/mm2要高於sandisk和三星的電荷捕獲技術。最終晶元的密度是否要高於三星——目前唯一出貨3d nand的提供商——則是另一回事。

我們不能想當然地認為英特爾的3d nand晶元密度高於三星的v-nand晶元(目前是48層,256gbit)。三星上一代的3d v-nand採用32層,128gbit晶元。英特爾目前還沒有公布自己3d nand晶元的容量。

不管是英特爾,還是它的晶圓合作夥伴美光,都公布了單元光刻奈米測量,但顯然要大於所取代的20奈米mlc平面技術。英特爾說,p3320/3520採用tlc nand。

英特爾已經提供了多數新產品的讀寫效能資料,但是沒有公布延遲或者壽命,這引發了乙個問題,這些新產品是否要比它們替代的產品更好?(乙個x-io效能筆記稱,800gb d3700支援每天10次驅動器寫入。)

總的來說,英特爾稱自己的3d nand提供了1.3倍的讀寫次數。下面這個**羅列了新老產品的一些基礎細節:

dc p3500被相同容量的dc p3320和dc p3520取代,p3520聽起來顯示p3320,但是目前階段英特爾並沒有提供任何效能資料,只說它的效能和延遲要顯著高於p3320。

英特爾表示,d3600和d3700是首款雙動雙埠nvme ssd,提供了效能上的突破。英特爾表示,雙埠可實現高可用的儲存控制器。

綠色行是新產品

我們實在不能認同效能突破這個說法,如果對比p3600和d3600的話。d3600的隨機io效能表現要由於p3600,但是連續io效能要差一些。d3700的隨機寫效能和連續io效能要比p3700差,只在隨機讀io方面佔優。

英特爾宣稱,這兩款新的ssd在所有io共享中最高占有98%,相同的效能特點,生命週期內效能降低小於5%。

x-io technologies提供了sas ssd與p3700產品對比的一些效能資料*。

看起來不錯,但這並不是同等的對比,而是把nvme ssd與sas ssd進行對比。

現在x-io有新公升級的ise,採用dc d3700 ssd的產品。

總結英特爾沒有提供這些3d nand ssd的容量更新,效能改進也只是針對隨機讀寫,而不是連續io,這一點並不令人印象深刻;何必呢?我們想像一下,3d nand產品是(或者將要)比同等容量的磁碟產品便宜,而且第二代3d nand將提高容量,也許是2倍或者3倍。

這些3d快閃儲存器ssd並不是英特爾在這個競爭激烈的領域放出的第一彈。讓我們看看wdc/sandisk以及東芝的產品,看看他們和英特爾是否可以在容量方面趕超三星。

* x-io儲存陣列系統採用xeon e52699v3,40個英特爾dc d3700 10 dwpd 800gb,還有儲存陣列系統採用至強e52699v3,40個sas 10 dwpd 400gb ssd。在共享儲存陣列的qd 1,2,4訪問1卷上,測試80/20 read/write工作負載的-8k傳輸。測量工具是iometer。

原文發布時間為:

2023年04月01日

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