模電基礎部分總結（自用）
第一章1.1半導體基礎知識
1.什麼是模擬訊號，數碼訊號？
答：模擬訊號在時間和數值上均具有連續性，例如正弦波訊號。
模擬訊號在時間和數值上均具有連散性，它們的數值是最小量值的整倍數，並以此倍數作為數碼訊號的數值。
2模/數轉換，數/模轉換？
答：模數：對模擬訊號進行數位化處理時，需首先將其轉換成計算機識別的數碼訊號。
數模：計算機輸出的數碼訊號常需轉換為能夠驅動負載的模擬訊號。
3什麼是半導體，本徵半導體？
答：導電性介於導體和絕緣體之間的物質，其以原子的最外層電子受原子核的束縛力介於導體與絕緣體之間。例如（矽si、鍺ge）。
本徵半導體是純淨（無雜質）的晶體（穩定）結構的半導體。
4什麼是載流子，自由電子，空穴是怎麼形成的？
答：運載電荷的粒子稱為載流子。本徵半導體有兩種載流子，即自由電子和空穴均參與導電。由於熱運動，具有足夠能量的價電子掙脫共價鍵的束縛而成為自由電子。自由電子的產生使共價鍵中留有乙個空位置，稱為空穴。
5什麼是本徵激發，復合，什麼時候會達到動態平衡？
答：半導體在熱激發下產生自由電子和空穴對的現象稱為本徵激發。
自由電子在運動過程中如果與空穴相遇就會填補空穴，使兩者同時消失，這種現象稱為復合。
在一定溫度下，本徵激發所產生的自由電子與空穴對，與復合的自由電子與空穴對數目相等，故達到動態平衡。
6 n型半導體和p型半導體對應的多子和少子是什麼？
答：n型：在純淨的矽晶體中參入5價元素（如磷），取代晶格中矽原子的位置。
對應的多子是自由電子，少子是空穴。（自由電子濃度大於空穴濃度，自由電子為多數載流子，簡稱多子）。
p型：在純淨的矽晶體中參入3價元素（如硼），取代晶格中矽原子的位置。
對應的多子是空穴，少子是自由電子。
雜質半導體中，多子地濃度主要取決於參入雜質地濃度，而少子的濃度主要取決於溫度的變化。
多子主要由雜質原子提供，少子是由本徵激發形成。
7 pn結是怎麼形成的？
答：將p型半導體和n型半導體製作在同一塊矽片上，在它們的交介面附近就形成pn結。由於擴散運動使p區n區的交介面缺少多數載流子，形成內電場，從而阻止擴散運動的進行。在電場力的作用下，載流子進行漂移運動。在無外電場和其他激發作用下，參與擴散運動和漂移運動的載流子數目相同，達到動態平衡，就形成了pn結。
8 pn結的單向導電性。
答：當電源的正極（或正極申聯電阻後）接到pn結的p端，且電源的負極接到pn結的n端時，稱pn結外加正向電壓，也稱正向接法。pn結外加正向電壓時處於導通狀態，pn結外加反向電壓時處於截止狀態。
//pn結加正向電壓時，具有較大的正向擴散電流；pn結加反向電壓時，具有很小的反向漂移電流，即pn結具有單向導電性。
9 pn結的伏安特性：反向擊穿。
答：齊納擊穿：在高參雜的情況下，因耗盡層寬度很窄，不大的反向電壓就可在耗盡層形成很強的電場，而直接破壞共價鍵，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。
雪崩擊穿：如果參雜濃度較低，耗盡層寬度較寬，那麼低反向電壓下不會產生齊納擊穿。當反向電壓增加到較大值時，耗盡層的電場使少子加快飄逸速度，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生電子-空穴對。新產生的電子與空穴被電場加速後又撞出其他價電子，載流子雪崩式地倍增，致使電流急劇增加，稱為雪崩擊穿。
模電基礎知識 一
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