如何提高FLASH的擦寫次數

2021-10-04 03:07:47 字數 1233 閱讀 8288

在實際應用中,使用者經常需要在程式執行過程中儲存或讀取一些資料,這些資料在工作中經常會變化,而且掉電後也不能丟失,所以需要及時地進行儲存,儲存這些資料常用的儲存器是eeprom。hxm6002雖然本身不帶eeprom,但是它支援自程式設計技術,可以利用flash來模擬eeprom,這樣不僅簡化了設計,而且降低了成本。

一般情況下,flash都是以2的n次方為一頁,在執行擦除指令時,一次最少要擦除一頁的資料。flash支援單位元組讀寫,但每次在更新資料前都必須先擦除原資料,然後才能重新寫入資料,而不能在原資料基礎上更新內容。

hxm6002模擬eeprom的flash每頁為512位元組。在實際應用中,即使只需要儲存少量的資料,如32位元組的資料,也必須以512位元組來模擬eeprom。最簡單的儲存方法是,在每次更新資料前執行擦除指令,然後寫入新資料。該方法適用於更新資料頻率不高的應用場合,因為hxm6002的擦寫次數典型值為1000次。對於更新資料頻率較高的應用場合,如需要1萬次的擦寫次數,就需要採用「空間換時間」的方法了,擦寫的次數和儲存資料的大小成反比。所謂「空間換時間」,是指利用相對多的**空間來換取相對多的擦寫時間(次數)。即在一頁內,可以依次將資料寫入flash,當寫滿一頁後,再全部擦除,比如儲存32位元組的資料塊,一頁就可以寫16個資料塊,寫滿後再全部擦除,這樣該頁的擦寫次數就可以提高15倍,即1.6萬次。

下面以32位元組的資料塊為例,來簡要說明「空間換時間」的軟體實現方法。首先需要選取資料塊中的某一位元組作為位址index,更新資料時第乙個寫入flash,該位元組必須滿足任何時候都不能為ffh,否則會發生錯誤。

(1)儲存資料:每次儲存資料時,從低位址到高位址依次(以32為步進)判斷index的內容。如果為ffh,表示該位址空間未寫過資料,寫入需要更新的資料;如果不為ffh,表示該位址空間已寫過資料,繼續查詢;如果所有的index(16個)都不為ffh,表示該頁已經寫滿,執行擦除指令後從首位址寫入資料。

(2)讀取資料:每次讀取資料時,從高位址到低位址依次(以32為步進)判斷index的內容,這是為了查詢到最新的資料。如果不為ffh,表示該位址已寫過資料,讀取資料;如果所有的index(16個)都為ffh,表示該頁還未寫入資料。

前面提到,每次在更新資料前都必須先擦除原資料,然後才能重新寫入資料,而不能在原資料基礎上更新內容,這並不是絕對的。根據flash寫操作的特性,只能將『1』寫成『0』,而不能將『0』寫成『1』。而1byte=8bit,所以,如果每次只是寫1位元為『0』,則乙個位元組可以寫8次。例如,第一次寫第0位為『0』,第二次寫第1位為『0』,……,第八次寫第7位為『0』。在實際應用中,也可以利用該特性,來獲取更多的擦寫次數。

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