基於PSRAM技術的IoT ram儲存器解決方案

2021-10-04 10:36:10 字數 1102 閱讀 3092

迅速發展的iot繼續為消費者和行業帶來革命性的變化,並增強了他們的日常使用體驗,尤其是在邊緣增加處理能力的需求下。健身追蹤器和智慧型揚聲器,農業及工廠機器都是這樣的例子。特定的應用程式都規定了記憶體要求。豐富的嵌入式物聯網體驗推動了對更多外部板載記憶體的需求。

在這些應用程式中新增ai/ml進一步改變了記憶體需求,通常需要更多和更高頻寬的記憶體。物聯網應用程式需要保持受約束的物理外形尺寸,功率散熱範圍以及較低的bom成本,這增加了其他設計約束。對於這些應用程式來說,理想的候選記憶體應該是什麼問題,現在已經成為許多產品團隊的首要任務,提出並研究了新的儲存器型別。基於psram技術的ap儲存器iot ram儲存器解決方案已與iot /嵌入式裝置中普遍使用的許多現有mcu/soc/fpga無縫協作,解決了對額外外部儲存器的需求,同時使設計人員更容易遵守其外部儲存器產品設計約束。

圖1需要更多記憶體的iot /嵌入式應用程式

嵌入式/外部sram和dram解決方案的時間已不多了

sram仍然是最接近處理器的高速訪問儲存器,具有最高的速度和最低的延遲。然而sram具有幾個缺點。常規的6t sram布局拓撲無法與過程節點的縮小相對應地擴充套件。當由於對更豐富的iot應用程式的需求而對更多記憶體的需求不斷增加時,這同時發生。嵌入式sram產生的洩漏功率會隨著cpu功耗的使用而不斷增加。對於功耗優化的情況(對於最新的iot應用程式存在更高的記憶體要求),這顯然不是最佳選擇,因此sram將是乙個棘手的解決方案。

圖2位單元趨勢顯示隨著過程節點縮小,縮放比例逐漸減小。

外部dram也可以考慮用於物聯網應用,並且由於其效能而仍比sram保持顯著的成本優勢,它由單個電晶體和電容器組成,從而可以實現更高的陣列密度。對於大多數插入電氣主線的應用,外部dram可能是可接受的解決方案。但是外部dram的引腳數很高,整合起來很複雜。同樣傳統的低密度sdram是在較舊的處理節點上設計的,並且由於其大小,它們不適用於許多緊湊型節能系統。是否有一種記憶體替代方案可以在滿足更豐富的物聯網體驗不斷增長的需求的同時,保持較高的效能水平,降低成本和降低功耗?

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