儲存裝置的總結

(1)rom：read only memory 唯讀儲存器，唯讀不是真正意義的唯讀，是指不能用匯流排式訪問和寫入資料，無法隨機讀寫，只能以塊為單位讀取，掉電不丟失。形如硬碟、flash(快閃儲存器)之類的塊裝置,此項不是內部儲存器。

(2)ram：random access memory隨機訪問儲存器，匯流排式訪問，效率高，可以直接任意的以位元組為單位訪問位址，形如記憶體

(3)irom：internal rom內部rom，整合到soc內部的rom，不用初始化，uboot第一階段就是在irom中執行bl0階段

(4)iram：internal random memory繼承到soc內部的ram，不用初始化

(5)srom：可以擴充套件增加的sram和srom，soc的srom controller其實就是soc提供對外匯流排式連線sram/srom的介面

(6)dram：dynamic ram動態ram，需要軟體初始化才能使用的ram，與ddr沒有什麼差別

(7)sram：static ram靜態ram，無需初始化即可使用的ram

(8)ddr：多倍速的dram

(9)sdram：syn dynamic ram同步動態隨機儲存器

(1)硬碟、光碟、cd等：儲存原理一般為磁儲存，內部為物理運動，體積較大，在嵌入式裝置中一般無法使用

flash快閃儲存器技術：利用電學原理儲存，無物理運動，讀寫速度快，以下都為flash的不同形態

(2)純粹的flash分成nandflash和nandflash，只包含儲存顆粒和讀寫介面，需要外部soc提供flash讀寫的控制器來通訊，介面時序複雜，內部無壞塊處理機制，需要soc管理falsh壞塊，並且flash介面不一致，不標準化

nandflash：非匯流排式訪問，需要初始化，為塊裝置，內部又分為mlc和slc兩種

mlc：技術比較新，不成熟，可靠性差，但是容量可以做到很大並且十分便宜

slc：技術早，可靠性高，容量大但**貴

nandflash：匯流排式訪問，不需要初始化，一般來做啟動介質，上電就能執行，常用來做bios

(3)sd卡/mmc卡/micro sd卡：總體都是卡，卡的內部還是flash儲存顆粒，比直接的nand晶元增加了外部封裝介面和介面標準，sd卡有物理寫保護，非匯流排式訪問，塊裝置，sd卡中有自己的管理模組

(4)inand/movinand/essd：本質是nandflash，內部由nand儲存顆粒構成，整合了塊裝置管理單元，有統一的介面，但如同純粹的flash一樣，還是以晶元方式發布，但內部的管理單元提供了壞塊管理模組，nand管理更容易，現在的手機外部儲存都為inand類，此型別將是一種趨勢

(5)ssd：固態硬碟，一般使用在台式電腦pc中，有替換機械硬碟的趨勢，表現在flash快閃儲存器技術的優勢

以上為本人自我總結，如有錯誤，願指出，不勝感激！