三星固態硬碟pro和evo簡單來說定位有所區別，pro定位高階旗艦型號，evo定位親民大眾型號。我從官方客服得到答案是，evo用的是快閃儲存器顆粒是samsung v-nand 3bit mlc，pro用的快閃儲存器顆粒是samsung v-nand 2bit mlc，而實際samsung v-nand 3bit mlc就是3d tlc顆粒。
所以可以總結為：pro主要採用的是可靠性和效能非常出色的mlc nand顆粒，evo而採用的是價效比且可靠性也非常高的3d tlc nand顆粒。
到底啥是mlc啥是tlc，大家可能有些暈，我先給大家簡單普及下。
顆粒的傳統分類：slc、mlc、tlc
簡單來說，nand快閃儲存器中儲存的資料是以電荷的方式儲存在每個nand儲存單元內的，slc、mlc及tlc就是儲存的位數不同。
slc（single-level cell）單層式儲存每個儲存單元僅能儲存1bit資料，同樣，mlc（multi-level cell）可儲存2bit資料，tlc(trinary-level)可儲存3bit資料。乙個儲存單元上，一次儲存的位數越多，該單元擁有的容量就越大，這樣能節約快閃儲存器的成本，提高nand的生產量。
mlc的優勢在於，tlc需要識別8種訊號，而mlc只需要識別4種訊號，可以花更少時間來讀取資料。因此，3d nand出現之前，mlc在效能和可靠性上，是高於tlc的。但是，隨著三星的3d tlc的出現，tlc與mlc的效能和可靠性逐漸拉小差距。
3d nand快閃儲存器：三星的殺手鐗級產品
剛介紹的nand快閃儲存器不僅有slc、mlc和tlc型別之分，為了進一步提高容量、降低成本，nand的製程工藝也在不斷進步，從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm。雖然先進工藝雖然帶來了更大的容量，但是nand快閃儲存器的製程工藝是雙刃劍，容量提公升、成本降低的同時可靠性及效能都在下降，因為工藝越先進，nand的矽基越薄，可靠性也越差，廠商就需要採取額外的手段來彌補，但這又會提高成本，以致於達到某個點之後製程工藝已經無法帶來優勢了。
相比之下，3d nand解決問題的思路就不一樣了，想要提高nand的容量、降低成本，廠商不需要費勁心思去提高製程工藝了，轉而堆疊更多的層數就可以了，這樣一來3d nand快閃儲存器的容量、效能、可靠性都有了保證了。
由於已經向垂直方向擴充套件nand密度，那就沒有繼續縮小電晶體的壓力了，所以三星可以使用相對更舊的工藝來生產3d nand快閃儲存器，做成3d v-nand mlc或者3d v-nand tlc。現在三星已經就這樣做了，pro是3d mlc，evo是3d tlc。使用舊工藝的好處就是p/e擦寫次數大幅提公升，而且電荷干擾的情況也因為使用舊工藝而大幅減少。
過去房子基本都是一層平房，要想在固定大小的房子裡隔出更多的房間，就需要壓縮每個房間的空間。隨著租客越來越多，房間空間越來越小了，只能放一張床了，再繼續壓縮的話，人都住不了。怎麼辦？聰明的建築師想到了可以在房子上再蓋房子，拓展垂直空間。現在好了，有人可以搬到樓上去，大家再也不用擠在那麼小的房間。3d nand快閃儲存器思想就是這樣的，不是一味的在乙個平面提公升快閃儲存器密度，而是堆積多個平面，達到提公升快閃儲存器容量的目的。將平房增加樓層蓋成高樓，單位面積內可容納的人就會更多，這點是同理的。
由此我們也可以得出結論3d mlc>3d tlc>2d mlc>2d tlc，現在不管購買三星pro還是evo都不用過分考慮ssd快閃儲存器壽命問題，可能電腦主機完全淘汰了ssd還健在，而從正常使用考慮三星evo採用3d tlc技術也足以應對日常資料處理，追求更高效能的使用者則可以考慮三星pro系列產品，效能更為出色！
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