近年來，片上儲存器發展迅速，根據國際半導體技術路線圖（itrs），隨著超深亞微公尺製造工藝的成熟和奈米工藝的發展，電晶體特徵尺寸進一步縮小，半導體儲存器在片上儲存器上所佔的面積比例也越來越高。接下來宇芯電子介紹sram的工作原理以及工作過程。
sram 寫操作。
寫操作就是把資料寫入指定的sram 儲存單元中。首先片選訊號cebb 置為低電平，讀控制電路開始運作。10 位寫位址線ab0-ab9、16位資料輸入di0-di15 準備就緒，位址訊號有效，系統開始解碼、選擇要寫入的儲存單元以及需要寫入的資料。當時鐘訊號ckb 高電平到來時，ckb 訊號控制解碼電路完成最後的解碼，行解碼電路選中的那一行儲存單元寫字線wwl 將會開啟；16 位資料經過輸入輸出電路中的寫電路傳遞到寫字線bl 上，從而把資料寫入選中的儲存單元。
sram 讀操作。
讀操作即是把sram 陣列中指定單元中儲存的資料讀取出來。片選訊號ceba 置為低電平，讀控制電路運作。與寫操作相同，10 位讀位址線aa0-aa9 提前準備就緒，經過解碼器選擇指定的儲存單元；同時讀位線rbl 被預充電到高電平。預充電一段時間後時鐘訊號cka 到來，解碼完成，開啟指定儲存單元的讀字線rwl，對儲存單元進行讀操作。此時靈敏放大器被啟用，讀位線rbl 上的電壓變化會傳遞到靈敏放大器中，靈敏放大器可以根據rbl的電壓變化情況把結果送到輸出電路，輸出的二進位制序列從埠do0-do15 讀出，從而讀出特定儲存單元的資料。
預充電電路工作原理 功放電路工作原理
1.互補對稱式otl電路工作原理 目前otl功率放大器幾乎全部採用互補對稱式電路，如圖3 6所示，積體電路otl功率放大器內部電路也是採用互補對稱電路形式。圖中vt1為推動管，vt2 vt3為互補管，vd4是偏置二極體，它處於正向偏置時，其壓降約為0.6v，當其導通時，其內阻很小，因而它對於交流而言...
SRAM儲存原理
靜態隨機訪問儲存器 static random access memory，sram 是隨機訪問儲存器的一種。所謂的 靜態 是指這種儲存器只要保持通電，裡面儲存的資料就可以恆常保持。相對之下，動態隨機訪問儲存器 dram 裡面所儲存的資料就需要周期性地更新。然而，當電力 停止時，sram儲存的資料還...
自舉電路工作原理分析
otl功率放大器中要設自舉電路,圖18 9所示是自舉電路。電路中的c1,r1和r2構成自舉電路。c1為自舉電容，r1o 隔離電阻，r2將自舉電壓加到 vt2基極。向左轉 向右轉 vt1集電極訊號為正半周期間vt2導通 放大，當輸入vt2基極的訊號比較大 時，vt2基極訊號電壓大，由於vt2發射極電壓...