電晶體三個極，與二極體不同，所以不是簡單的二極體的伏安特性曲線能解決的，要分析三極體，這裡只說共射電路，就分為兩個埠輸入和輸出，分別是輸入特性曲線和輸出特性曲線。
輸入特性曲線
輸入端，基極與射極之間的電壓ube和電流ib。輸入訊號是ube，ube控制電流ib，ib再控制ic，所以輸入特性曲線研究的是ube對ib的控制。如下
ib=f(ube)|uce=常數
**含義：**ib的大小受輸入訊號ube的控制。
ib和ube之間的關係就是二極體的伏安特性曲線，因為發射結是正向偏置的。所以如下圖
看了上面曲線，關於ube和ib之間的關係很容易明白，但也還有兩個非常明顯的問題：
1.為什麼uce變大曲線右移
2.為什麼uce大於1v之後，曲線基本不移動了
分析：uce=0v時，集電極與射極短路，就是pn結的伏安特性曲線。
當集電極電壓逐漸增大的時候，集電結的正偏慢慢的變成了反偏，漂移運動逐漸增強，集電結收集電子的能力逐漸增強，所以當相同ube的情況下面，uce變大流向基極的電流ib變小。而當uce=1v的時候，集電結已經將發射結擴散到基區的電子全部收集走，所以當uce>1v的時候，曲線幾乎不再左移。這樣以來，上面的兩個問題相信解釋的很清楚了。
輸出特性曲線
ic與uce之間的關係，但是還收到ib的影響。
ic=f（uce）|ib=常數
分析：這是乙個曲線組，取其中一條分析當ib=0的時候這個電流是穿透電流iceo，當ib=ib1的時候，剛開始uce從零逐漸增大的過程，集電結由正偏慢慢到反偏，集電極收集電子的能力逐漸增強，所以曲線慢慢上公升，但是當集電極將發射區擴散過來的電子基本全部收集走的時候，此時再增大uce，ic就趨於不變了。所以整個曲線的走向是先上公升，然後趨於平緩。
截止區：ib=0，發射結沒有正偏，此時的電流是穿透電流iceo。
放大區：此時從圖中可以看出，ic的變化不受uce的控制，完全受ib的控制，而且ic/ib約等於乙個定值。
飽和區：此時從圖中可以看出來ic不受ib的控制，整個三極體就類似於乙個大導體，雙結正偏。這時又乙個uces飽和壓降。
比較難以理解的就是飽和區，當βib>icmax的時候就進入飽和區了。雙結正偏uce很小，集電結也正偏，此時的ic
飽和區理解很重要的兩點：
對於乙個ib不變的電路來說，ib放大得到的ic是大於ib飽和時的ic的,因為uce是變化的。
對於乙個uce不變的電路來說，飽和時的ic就是icmax，此時的uce不足以支援ic到達此時的βib，所以此時的βib>icmax。
所以想讓乙個工作再放大區的三極體工作在飽和區，也就是從βib=icmax到βib>icmax有兩種辦法：
1.增加ube也就是增大ib
2.減小uce也就是減小icmax
兩種方法的趨勢都是使集電結正偏。
主要引數
共射電流放大係數β⑧和β
在共射極放大電路中，若交流輸入訊號為零，則管子各極間的電壓和電流都是直流量，此時的集電極電流ic和基極電流ib的比就是β⑧，β⑧稱為共射直流電流放大係數。
當共射極放大電路有交流訊號輸入時，因交流訊號的作用，必然會引起ib的變化，相應的也會引起ic的變化，兩電流變化量的比稱為共射交流電流放大係數β，即
上述兩個電流放大係數β⑧和β的含義雖然不同，但工作在輸出特性曲線放大區平坦部分的三極體，兩者的差異極小，可做近似相等處理，故在今後應用時，通常不加區分，直接互相替代使用。
由於製造工藝的分散性，同一型號三極體的β值差異較大。常用的小功率三極體，β值一般為20～100。β過小，管子的電流放大作用小，β過大，管子工作的穩定性差，一般選用β在40～80之間的管子較為合適。
極間反向飽和電流icbo和iceo
（1）集電結反向飽和電流icbo是指發射極開路，集電結加反向電壓時測得的集電極電流。常溫下，矽管的icbo在na（10-9）的量級，通常可忽略。
（2）集電極-發射極反向電流iceo是指基極開路時，集電極與發射極之間的反向電流，即穿透電流，穿透電流的大小受溫度的影響較大，穿透電流小的管子熱穩定性好。
極限引數
（1）集電極最大允許電流icm
電晶體的集電極電流ic在相當大的範圍內β值基本保持不變，但當ic的數值大到一定程度時，電流放大係數β值將下降。使β明顯減少的ic即為icm。為了使三極體在放大電路中能正常工作，ic不應超過icm。
（2）集電極最大允許功耗pcm
電晶體工作時、集電極電流在集電結上將產生熱量，產生熱量所消耗的功率就是集電極的功耗pcm，即
pcm=icuce （5-7）
功耗與三極體的結溫有關，結溫又與環境溫度、管子是否有散熱器等條件相關。根據5-7式可在輸出特性曲線上作出三極體的允許功耗線，如圖5-8所示。功耗線的左下方為安全工作區，右上方為過損耗區。
手冊上給出的pcm值是在常溫下25℃時測得的。矽管集電結的上限溫度為150℃左右，鍺管為70℃左右，使用時應注意不要超過此值，否則管子將損壞。
（3）反向擊穿電壓ubr（ceo）
反向擊穿電壓ubr（ceo）是指基極開路時，加在集電極與發射極之間的最大允許電壓。使用中如果管子兩端的電壓uce＞ubr（ceo），集電極電流ic將急劇增大，這種現象稱為擊穿。管子擊穿將造成三極體永久性的損壞。三極體電路在電源ec的值選得過大時，有可能會出現，當管子截止時，uce＞ubr（ceo）導致三極體擊穿而損壞的現象。一般情況下，三極體電路的電源電壓ec應小於1/2 ubr（ceo）。
溫度的影響
1.溫度對輸入特性的影響
對於輸入來說，和二極體的正向特性一樣，ube正向偏置，二極體正偏，溫度每公升高一度，ube下降2mv左右。
2.對於輸出的影響
對於輸出來說，集電結反偏，有反向飽和電流iceo,iceo是由少數載流子漂移運動形成的，它與環境溫度關係很大，iceo隨溫度上公升會急劇增加。溫度上公升10℃，iceo將增加一倍。由於矽管的iceo很小，所以，溫度對矽管iceo的影響不大。
3.對於β的影響
三極體的β隨溫度的公升高將增大，溫度每上公升1℃，β值約增大0.5～1％，其結果是在相同的ib情況下，集電極電流ic隨溫度上公升而增大。
三極體特性
輸入特性曲線 在三極體 共發射極連線的情況下，當集電極與發射極之間的電壓 uce維持不同的定值時，ube和 ib之間的一簇關係曲線，稱為共射極輸入特性曲線。一般情況下，當 uce 1v時，集電結就處於反向偏置，此時再增大 uce對 ib的影響很小，也即 uce 1v以後的輸入特性與 uce 1v的一...
三極體原理分析
1.一定要有多子少子的概念，p類半導體多子是空穴，少子是電子，n類半導體多子是電子，少子是空穴。2.從光電二極體的光刺激產生載流子模擬到三極體的發射極注入載流子，十分容易理解。3.pn結內部會形成內電場，方向為n到p抑制多子的繼續擴散，然而內電場卻利於少子的漂移，少子漂移削弱了內電場，又有利於多子的...
模擬電路 雙極型三極體（BJT）簡述
i v特性曲線 共基極連線時的i v特性曲線 bjt的主要引數 溫度對bjt引數及特性的影響 積體電路中的npn型bjt的截面圖 載流子在基區擴散與復合，形成復合電流ibn 集電極反偏 bjt的基極電流 ib iep ibn icbo iep ien icn icb o ie ici i i i i...