1. 電晶體，二極體的區別：
電晶體，就是指的半導體器件，二極體也是電晶體裡的一種
2.什麼是載流子，p型和n型的區別：
運載電荷的粒子為載流子；p型為三價元素摻雜，多數載流子為空穴，n型為五價元素摻雜，多數載流子為電子；
3.擴散運動與漂移運動的成因：
擴散運動是由濃度差導致的，漂移運動是由電場作用導致的；
4 pn結在什麼時候形成，
pn結形成：當多數載流子的擴散運動與少數載流子的漂移運動相等時，pn結形成；
5 pn結中正向電壓和反向電壓對應的運動是什麼？
正向電壓讓耗盡層縮小，增強其擴散運動，形成擴散電流；反向電壓讓耗盡層變大，增強其漂移運動，形成漂移電流（由於其很小，視為截止）；
6 雪崩擊穿，齊納擊穿的區別：
齊納擊穿一般是在重摻雜pn結內發生，擊穿電壓較小，低於5～6v；
雪崩擊穿一般是在輕摻雜pn結內發生，擊穿電壓較大，高於5～6v；
其中一般二極體是雪崩擊穿，齊納擊穿大多發生在穩壓二極體中；
雪崩擊穿是pn結反向電壓增大到一定值時，載流子倍增像雪崩一樣，增加的快而多，而齊納擊穿是在高的反向電壓下，pn結中存在強電場，它能直接破壞；
7 二極體，三極體（bjt），場效電晶體（fet or mos）的區別：
diode ---- 二極體
1.利用pn結的單向導電性（但由於pn結的電容效應，其存在最高工作頻率，當電壓變化超過這個頻率，二極體中的pn結將失去單向導電性）
能用於穩壓，整流，檢波；
bipolar-junction transistor(bjt) -----雙極型電晶體
1.電流控制電流的流控器件（i_b 控制 i_c，基極電流控制集電極電流）
2.有兩種載流子參與導電過程(這也是為什麼叫雙極型的原因），多子是電子，少子是空穴(以npn型舉例），少子容易受溫度影響,熱穩定性差
3.輸入輸出迴路皆有電流參與，故功耗相對來說比較大
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field-effect transistor(fet or mos)------場效電晶體
1.電壓控制電流的壓控器件
2.只有一種載流子參與導電，也稱為單極型管，也正如此，受溫度影響較低，熱穩定性好
3.只有乙個迴路參與導電，故功耗相對較低
4.最小可製作到奈米級，容易整合，所以廣泛應用於大規模積體電路中
8 三極體中各電流產生原因：
發射極電流由於擴散運動，基極電流由於復合運動（電子與空穴結合），集電極電流由於漂移運動
9 三極體放大係數β是不是常數，什麼是理想三極體？
β不是常數，在ic過大或過小時β會變小；
理想三極體便是，無穿透電流，β處處相等
10 放大電路放大的是什麼，以及為什麼需要靜態工作電壓？
放大電路放大的是動態訊號（需要把小的變化量放大出來），如果沒有靜態工作電壓，放大電路沒法啟用（u_be都沒法達到，及輸入電壓都沒達到三極體的開啟電壓，i_b都一直是0，自然沒法放大，導致失真）
11 在三極體組成的放大器中，基本偏置條件是什麼?
發射結正偏;集電結反偏
12 共射極放大電路，輸入輸出是正相還是反相？
反向的，具體原理需結合電路圖分析，輸入電壓變大，導致i_b變大，導致i_c變大，導致rc的分壓變大，因為vcc不變，所以輸入電壓變小，所以反向；
13 放大電路的失真有哪幾種，原因是什麼？
截止失真和飽和失真；
截止失真是因為q點太低（只能通過增大vbb來解決）；飽和失真是因為q點過高，可以增加rb，減小rc從而降低q點（也可以通過改變電壓，比如減小vbb，但一般不使用改變電壓的方法來做，這樣不好）
14 三極體靜態工作點一般位於三極體輸入輸出曲線的什麼位置？
在放大區**
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