最近又開始接觸驅動這塊兒的電路了，好久沒學，又有點忘了，特此記錄。
驅動mosfet，可以選用專用mosfet驅動ic完成電平轉換和驅動。因為mosfet的柵‐源極之間存在寄生電容，mosfet的開和關過程，是對電容的充放電過程，如果mosfet的驅動電路不能提供足夠的峰值電流（如1a的輸入/輸出電流），則會降低mosfet的開關速度。
1.首先介紹下foc控制驅動部分的設計
這裡以foc控制板的全橋驅動電路的一部分作為講解。部分驅動電路如下圖所示。
該驅動電路以irs2003為驅動晶元，其中c7是自舉電容，用於公升壓；d1是二極體是防止irs2003晶元的vb端電壓》vcc端電壓而形成電流倒灌 ；此外v1和v2這兩個n溝道的mosfet的柵極端分別接了r1和r2兩個阻值為100ω的電阻，其稱為柵極電阻，這個電阻稱為「柵極電阻」，取值一般為10~100歐姆不等，其作用是調節mosfet的開關速度，減少柵極出現的振鈴現象，減小emi，也可以對柵極電容充放電的限流作用。柵極電阻的引入雖然影響了mosfet的開關速度，但得到可靠的柵極波形和減少emi。兩者之間的平衡點視實際應用而定。
另外值得注意的是，在柵極電阻r1和r2 的公共支路上有乙個電阻和二極體的併聯支路。其中二極體的作用是當需要關閉mosfet時，柵極寄生電容放電時，柵極電阻被二極體短路，所以電流不經過柵極電阻，相當於在關閉時柵極電阻不存在，這樣縮短了柵極寄生電容的放電時間，即提高了mosfet的關斷速度。二極體使用一般的型號即可應付。這邊的電阻r4具體作用估計是跟r1、r2一樣，但這邊之所以沒有直接在r1和r2上分別併聯乙個二極體達到提高mosfet的開關速度，是為了簡化這個電路。
還有一種情況，上圖並沒有進行設計，即是在vs端和接地端串聯乙個二極體。因為電機若是感性負載，則在vs端可能出現負電壓，這使得自舉電容充電電過壓。所以串聯了該二極體，當出現了負電壓時，即可將該負電壓的電位鉗制在-von(von為二極體導通電壓)，這樣就能大大減小過壓的情況。
2.介紹下foc驅動的控制策略
在pmsm的設計中，foc控制是使用電子換向的方法實現轉子不斷地轉動，而換向的頻率則決定了電機的轉速。如何驅動電機也就是使用演算法和驅動器去控制電機了。具體的控制策略，也就是分別通三相電機中的其中兩相，使得電機中的轉子有轉動的趨勢，在到達穩定之後或者之前，再次改變導通的兩相，使得轉子在該磁場下繼續轉動，從而實現電機的轉動，以及換向。
以上的情況是每次只通兩相，從而使得轉子轉動，但這樣的話顯然會非常浪費，因為有一相沒有使用，就失去了一部分扭矩，這樣是沒多大意義的。再往後講就是svpwm演算法的內容了，我不再贅述，有興趣的可以看一下下面這位大佬的講解，可以有乙個連貫的思路。
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