sdram
與記憶體基礎概念
一、sdram
記憶體模組與基本結構
我們平時看到的
sdram
都是以模組形式出現，為什麼要做成這種形式呢？這首先要接觸到
兩個概念：物理
bank
與晶元位寬。
pc133
時代的168pin sdram dimm
物理bank
傳統記憶體系統為了保證
cpu的正常工作，必須一次傳輸完
cpu在乙個傳輸週期內所需要的
資料。而
cpu在乙個傳輸週期能接受的資料容量就是
cpu資料匯流排的位寬，單位是
bit(位)。當時控制記憶體與
cpu之間資料交換的北橋晶元也因此將記憶體匯流排的資料位寬等同
於cpu
資料匯流排的位寬，而這個位寬就稱之為物理
bank
physical bank
，下文簡稱
p-bank
)的位寬。所以，那時的記憶體必須要組織成
p-bank
來與cpu
打交道。資格稍老的玩家
應該還記得
pentium
剛上市時，需要兩條
72pin
的simm
才能啟動，因為一條
72pin -simm
只能提供
32bit
的位寬，不能滿足
pentium
的64bit
資料匯流排的需要。直到
168pin-sdram
dimm
上市後，才可以使用一條記憶體開機。下面將通過晶元位寬的講述來進一步解釋
p-bank
的概念。
不過要強調一點，
p-bank
是sdram
及以前傳統記憶體家族的特有概念，在
rdram
中將以通道
channel
)取代，而對於像
intel e7500
那樣的並髮式多通道
ddr系統，傳統的
p-bank
概念也不適用。
晶元位寬
上文已經講到
sdram
記憶體系統必須要組成乙個
p-bank
的位寬，才能使
cpu正常工作，那麼
這個p-bank
位寬怎麼得到呢？這就涉及到了記憶體晶元的結構。每個記憶體晶元也有自己的位
寬，即每個傳輸週期能提供的資料量。理論上，完全可以做出乙個位寬為
64bit
的晶元來
滿足p-bank
的需要，但這對技術的要求很高，在成本和實用性方面也都處於劣勢。所以芯
片的位寬一般都較小。台式電腦市場所用的
sdram
晶元位寬最高也就是
16bit
，常見的則是
8bit
。這樣，為了組成
p-bank
所需的位寬，就需要多顆晶元併聯工作。對於
16bit
晶元，需要
顆(4×16bit=64bit)。對於
8bit
晶元，則就需要
顆了。以上就是晶元位寬、芯
片數量與
p-bank
的關係。
p-bank
其實就是一組記憶體晶元的集合，這個集合的容量不限，
但這個集合的總位寬必須與
cpu資料位寬相符。隨著計算機應用的發展，乙個系統只有一
PCM與DRAM混合記憶體
隨著計算機技術的不斷發展，處理速度不斷增加，對記憶體的要求也是越來越高。但是資料顯示，處理器每年的增長速度每年在35 左右，但是記憶體的速度增長只有7 左右。所以記憶體的速度正在成為計算機發展的瓶頸。另一方面，記憶體的能耗問題也是日益嚴重，資料顯示記憶體的耗能佔總體能耗的40 左右。基於上述問題，新...
PCM與DRAM混合記憶體
隨著計算機技術的不斷發展，處理速度不斷增加，對記憶體的要求也是越來越高。但是資料顯示，處理器每年的增長速度每年在35 左右，但是記憶體的速度增長只有7 左右。所以記憶體的速度正在成為計算機發展的瓶頸。另一方面，記憶體的能耗問題也是日益嚴重，資料顯示記憶體的耗能佔總體能耗的40 左右。基於上述問題，新...
記憶體位址 位寬與容量
首先說明一下單位 1k 2 10，1m 2 20 1mb 1m byte 2 20 byte 8 2 20 bit 1mb 1m bit 2 20 bit 儲存容量 定址範圍 x 計算機處理位寬 字長 注意位址一般用十六進製制表示，0x1表示2 1，0x3表示2 2，0x7表示2 3，0xf表示2 ...