STM32F4斷電儲存問題

2021-10-12 17:04:30 字數 645 閱讀 3196

需要對產品增加斷電儲存功能,因為設計電路板之前考慮裝置供電及運**況,加之電路板面積資源緊張,所以沒考慮做斷電儲存。但在測試過程中,客戶提出斷電儲存資料的要求。

斷電儲存考慮幾種方案:1 flash  2 外部eerom 3 rtc 

由於stm32f4的falsh次數限制,還有儲存資料較多,另一方面flash已經儲存了一部分系統的設定引數,所以不作為優先考慮方案。

rtc由於儲存量限制,要儲存的資料是它的幾十倍,也不做考慮。

正好板子上已經化了eerom的位置,從24c02到24c256都可以選擇,而不用更改硬體。

根據儲存資料量,選擇24c256.

在測試**過程中,發現24c256只能儲存60條浮點數,經測試,發現iic延時過長,減少延時。能儲存資料增加到135條。

由於電路板3.3v的電容只有2720uf,把兩個10uf16v電容改為108鉭電容,經測試,全部350條資料都能儲存。

後來又有幾次存不住,原來是特麼24lc256最低工作電壓2.5v,更換更低電壓eerom解決

影響斷電儲存的因素:

1 mcu電源電容

2 eerom電源電壓

3 mcu復位電壓

4 有源晶振電壓

其中1,2,4必須同源,3必須盡可能低,否則沒等eerom儲存結束,已經復位了。

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