psram全稱為pseudo static random access memory，指的是虛擬靜態隨機儲存器，它是採用dram的工藝技術，實現類似於sram效能的ram器件。
所謂採用dram的工藝技術，指的是psram採用與dram相同的1t1c（一電晶體一電容器）架構，這有別於sram採用的6t（六電晶體）架構。因此，相同體積下，psram的容量可以做得更大，單位儲存容量的**更低。
所謂實現類似於sram效能，指的是psram在介面簡潔性與功耗水平兩方面，實現了類sram的體驗。
psram通過對位址、命令管腳與i/o管腳進行復用，大大減少了管腳數，因此具備sram介面簡潔的優勢。
psram採用的自行重新整理（self-refresh）技術，不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料；而dram每隔一段時間，要重新整理充電一次，否則內部的資料會消失，因此psram具有更低的功耗水平。
因此，相較於dram，psram具有管腳精簡、低功耗的優勢；而與sram比較，psram又具有**上的優勢。
管腳精簡、低功耗與**，都是智慧型穿戴廠商選型的關鍵指標，在這三點上的優勢，使得psram成為該領域的首選。
長期以來，記憶體晶元的選型測試，都是開發者面對的棘手難題，這篇文章針對psram的選型測試問題做了詳細的闡述：**psram驗證的訊號完整性問題——ap memory
這款開發驗證板，正是在此背景下推出的，上有六顆apmemory出品的psram，其中包含sop 8、uson8、bga90、wlcsp、bga24_x8、bga24_x16六種封裝形式。其中最小的是右上角的wlcsp封裝。開發者可以根據需求進行選擇，一次性完成記憶體選型測試工作。
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