探測器反向偏壓 光探測器PN結原理

2021-10-14 00:22:12 字數 1182 閱讀 5442

1 光探測原理

在光的作用下,當光敏物質中的電子直接吸收光子的能量足以客服原子核的束縛時,電子就會從基態被激發到高能態,脫離原子核的束縛,在外電場作用下參與導電,因而產生了光電效應。(這裡需要說明的是,如果光子不是直接與電子起作用而是能量被固體晶格振動吸收,引起固體的溫度公升高,導致固體電學性質的改變,這種情況就不是光電效應而是熱電效應)。根據所用結的種類的不同,可分為pn結,pin 結型,異質結型和肖特基結型等。最常用的器件有光電池,光電二極體,pin管,雪崩光電二極體,光電三極體和光電場效電晶體等。目前,光電二極體絕大部分用矽和鍺材料,採用平面型結構來製成,由於矽管比鍺管有較小的暗電流和較小的溫度係數,而且矽工藝較為成熟,結構工藝易於控制,因此矽為材料的光電二極體發展超過了同類鍺管。

由光電探測器的平方律定律得到

式中為光電探測器輸出的光電流,為被探測器探測到的入射光的電場分量,探測器的光電轉換因子

將如上關係帶入得到

一般使用的雷射波長是um量級,而雷射的傳播速度為光速。頻率為

p為光電探測器接收到的雷射功率,ri為響應度。

2pn結

當p型與n型半導體相接觸,電子和空穴相互擴散在接觸區附近形成空間電荷區和耗盡層,結區兩邊形成內建電場。內建電場引起載流子的漂移運動,漂移運動與擴散運動方向相反,當達到熱平衡狀態時,擴散流等於漂移流,勢壘區內電子(空穴)的擴散和漂移抵消。整個pn結具有統一的費公尺能級。接觸電勢差取

當在pn結的兩邊外加乙個電壓時,此時整個pn結不再處於熱平衡狀態,因此整個pn結系統中也就不再具有統一的費公尺能級。如下圖加正向和反向偏壓情況下的pn結原理圖

設擴散電流為

其中,k為玻爾茲曼常數,t為熱力學溫度。

pn結加上外加電壓,流過pn結的電流為擴散電流減去漂移電流

u為正,即p區電壓高於n區,即常說的正向電壓,此時電流由p區流到n區,電流為正值。u為負,即n區電壓高於p區,即通常所說的負向電壓,電流由n區流到p區,電流為負值。外接電路開路時,光生電子被內建電場拉向n區,空穴被拉向p區,載流子積累在pn結兩側,光生電壓最大,即光生電勢

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