肖特基二極體的內部結構
肖特基(schottky)二極體也稱肖特基勢壘二極體(簡稱sbd)，是由金屬與半導體接觸形成的勢壘層為基礎製成的二極體如圖 1所示，其主要特點是正嚮導通壓降小(約0.45v)，反向恢復時間短和開關損耗小，是一種低功耗、超高速半導體器件。肖特基二極體在結構原理上與pn結二極體有很大區別，它的內部是由陽極金屬(用鉬或鋁等材料製成的阻擋層)、二氧化矽(sio2)電場消除材料、n-外延層(砷材料)、n型矽基片、n+陰極層及陰極金屬等構成，如圖1所示。在n型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極，n型基片接電源負極)時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小;反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。
肖特基二極體存在的問題是耐壓比較低，反向漏電流比較大。目前應用在功率變換電路中的肖特基二極體的大體水平是耐壓在150v以下，平均電流在100a以下，反向恢復時間在10～40ns。肖特基二極體應用在高頻低壓電路中，是比較理想的。
肖特基二極體結構和內電路
1．肖特基二極體結構
圖13-3是肖特基二極體內部結構示意圖。肖特基二極體具有更低的串聯電阻和更強的非線性，適合於在射頻電路中應用。
某些金屬和n型半導體材料接觸後，電子會從n型半導體材料中擴散進入金屬從而在半導體材料中形成乙個耗盡層，具有和常規pn結類似的特牲，這種由金屬和半導體材料接觸形成類似pn結勢壘的結構稱為肖特基結。
當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極，n型基片接電源負極)時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小。如果在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大，如圖13-4所示。
2．肖特基二極體內電路
引線式肖特基對管又有共陽(兩管的正極相連)、共陰(兩管的負極相連)和串聯(乙隻二極體的正極接另乙隻二極體的負極)3種引腳引出方式。jrc2352圖13-5是引線式肖特基對管內電路結構示意圖。
貼片式肖特基二極體有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式，且內電路具體形式多達10餘種。圖13-6所示是多種貼片式肖特基二極體內電路。
肖特基二極體
今天焊了乙個電路板，用到了5819的二極體，找了半天都沒有找到，所以做乙個小筆記。肖特基二極體是以其發明人肖特基博士 schottky 命名的，sbd是肖特基勢壘二極體 schottkybarrierdiode,縮寫成sbd 的簡稱。sbd不是利用p型半導體與n型半導體接觸形成pn結原理製作的，而是...
齊納二極體和肖特基二極體
齊納二極體 又叫穩壓二極體 此二極體是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件.在這臨界擊穿點上,反向電阻降低到乙個很少的數值,在這個低阻區中電流增加而電壓則保持恆定,穩壓二極體是根據擊穿電壓來分檔的,因為這種特性,穩壓管主要被作為穩壓器或電壓基準元件使用.其伏安特性,穩壓二極體可以串聯...
肖特基二極體簡介
基本原理是 在金屬 例如鉛 和半導體 n型矽片 的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與pn結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40v左右。其特長是 開關速度非常快 反向恢復時間特別地短。因此，能製作開關二極和低壓大電流整流二極體。肖特基二極體 ll103b gs08 scho...