pmos低電平驅動 MOS管驅動電路詳解

2021-10-16 13:56:15 字數 1630 閱讀 1385

2009-07-06 8756

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mos管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮

mos的導通電阻,

最大電壓等,

最大電流等,

也有很多人僅僅考慮這些因素。

這樣的電路也許是可以工作的,但並不是優秀的,作為正式的產品設計也是不允許的。

mos管種類和結構

mosfet

管是fet

的一種(另一種是

jfet

),可以被製造成增強型或耗盡型,

p溝道或

n溝道共

種型別,

但實際應用的只有增強型的n溝道

mos管和增強型的p溝道

mos管,所以通常提到

nmos

,或者pmos

指的就是這兩種。

至於為什麼不使用耗盡型的

mos管,不建議刨根問底。

對於這兩種增強型

mos管,比較常用的是

nmos

。原因是導通電阻小,且容易制

造。所以開關電源和馬達驅動的應用中,一般都用

nmos

。下面的介紹中,也多

以nmos

為主。mos

管的三個管腳之間有寄生電容存在,這不是我們需要的,而是由於製造工藝

限制產生的。

寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些,

但沒有辦法避免,後邊再詳細介紹。

在mos

管原理圖上可以看到,

漏極和源極之間有乙個寄生二極體。

這個叫體二極

管,在驅動感性負載(如馬達),這個二極體很重要。順便說一句,體二極體只

在單個的

mos管中存在,在積體電路晶元內部通常是沒有的。

mos管導通特性

導通的意思是作為開關,相當於開關閉合。

nmos

的特性,

vgs大於一定的值就會導通,

適合用於源極接地時的情況

(低端驅

動),只要柵極電壓達到4v或

10v就可以了。

pmos

的特性,

vgs小於一定的值就會導通,

適合用於源極接

vcc時的情況

(高階驅動)。但是,雖然

pmos

可以很方便地用作高階驅動,但由於導通電阻大,價

格貴,替換種類少等原因,在高階驅動中,通常還是使用

nmos

mos開關管損失

不管是nmos

還是pmos

,導通後都有導通電阻存在,這樣電流就會在這個電阻上

消耗能量,

這部分消耗的能量叫做導通損耗。

選擇導通電阻小的

mos管會減小導

通損耗。現在的小功率

mos管導通電阻一般在幾十毫歐左右,幾毫歐的也有。

mos在導通和截止的時候,一定不是在瞬間完成的。

mos兩端的電壓有乙個下降

的過程,流過的電流有乙個上公升的過程,在這段時間內,

mos管的損失是電壓和

電流的乘積,

叫做開關損失。

通常開關損失比導通損失大得多,

而且開關頻率越

快,損失也越大。

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