eeprom的詳細分析
本例的eeprom型號為at24cm01，在電路中的引腳連線如下圖所示：
1，該器件的特性如下：時鐘支援標準模式(100khz)，快速模式(400khz)，極快速模式(1mhz)。
支援標準電壓(vcc=2.5v-5.5v)，低壓模式(vcc= 1.7v-5.5v)。
工業級溫度範圍：-40℃至85℃。
內部容量為1mbit(131072*8bit)
雙向資料傳輸埠。
256位元組頁寫入模式。
--允許位元組寫入和部分頁寫入。隨機讀和按順序讀資料。
內建錯誤檢測和校正。
高可靠性：
--1,000,000次寫入。
--資料保持100年。
2，該晶元的引腳分布(兩種不同的封裝)
引腳名稱描述nc不連線a1器件位址輸出1a2器件位址輸入2gnd電源地vcc電源wp寫保護。1：開啟寫保護，禁止寫入，0：正常寫模式scl序列資料線sda序列資料線如果a2，a1或wp引腳沒有被外部驅動，它們在內部被拉到gnd。
3，器件原理框圖
從該器件的原理框圖可以看出，該器件的sda引腳是乙個雙向埠，並且輸出埠為開漏輸出，需要在引腳出接上上拉電阻才能輸出高電平，組成線與邏輯。
位址的高4位是預定義好的，值為"1010",bit3,bit2根據引腳a2,a1連線的電平來決定，在該設計中，a2,a1均為0，bit1位為暫存器位址的最高位(a16)，bit0位為讀寫選擇位。寫時為0，讀時為1。
該eeprom的的暫存器位址為雙位元組，定義如下
首先傳送暫存器位址的高8位位元組位址,然後傳送暫存器位址的低8位位元組位址。
在乙個電路中使用多個該晶元的電路連線：將各個晶元的資料線和位址線和主機的資料和位址線相連，同時外接上拉電阻。給不同的器件分配不同的器件位址(a1，a2)，兩個位址為最多可以分配4個位址，故乙個主機iic埠最多可以掛載4個該晶元。
器件的操作與通訊：
iic有一下操作狀態：
空閒狀態(idle)：時鐘和訊號匯流排均為高。
開始訊號(start)：處理器讓scl時鐘保持高電平，然後讓sda資料訊號由高變低就表示乙個開始訊號。同時iic匯流排上的裝置檢測到這個開始訊號它就知道處理器要傳送資料了。
停止訊號(stop)：處理器讓scl時鐘保持高電平，然後讓sda資料訊號由低變高就表示乙個停止訊號。同時iic匯流排上的裝置檢測到這個停止訊號它就知道處理器已經結束了資料傳輸，我們就可以各忙各個的了，如休眠等。
資料傳輸：sda上的資料只能在scl為低電平期間翻轉變化，在scl為高電平期間必須保持穩定，iic裝置只在scl為高電平期間採集sda資料。
響應訊號(ack)：微控制器發完8bit資料後就不再驅動匯流排了(sda引腳變輸入)，而sda和sdl硬體設計時都有上拉電阻，所以這時候sda變成高電平。那麼在第8個資料位，如果外接iic裝置能收到訊號的話接著在第9個週期把sda拉低，那麼處理器檢測到sda拉低就能知道外接iic裝置資料已經收到。iic資料從最高位開始傳輸(小端傳輸)。
非應答訊號(nak)：在連續讀資料時，當讀取完最後乙個位元組資料時，從機不產生響應訊號。
該晶元支援位元組寫入和頁寫入(一次連續最多寫入256個位元組)，位元組寫入的時序如下圖所示，每寫完成乙個位元組，從機都會有乙個響應訊號.
1，位元組寫入時序：
傳送開始訊號。
器件位址+寫標誌(0)。
等待器件應答。
寫第一位元組位址。
等待器件應答。
寫第二位元組位址。
等待應答。
寫數字位元組。
等待應答。
傳送停止訊號。
2，頁寫入時序圖：
該器件支援3中模式的讀操作：
當前位址讀，
隨機位址讀，
順序讀取。
1，當前位址讀
內部資料字位址計數器儲存上次讀或寫操作期間訪問的最後乙個位址上增加乙個位址。只要保持電源，此位址一直有效。被維持到這個部分。讀取過程中的位址翻轉是從最後一頁的最後乙個位元組到記憶體第一頁的第乙個位元組。
2，隨機位址讀取
3，順序讀取
eeprom的wp 引腳 EEPROM的詳細分析
本例的eeprom型號為at24cm01，在電路中的引腳連線如下圖所示 1，該器件的特性如下 時鐘支援標準模式 100khz 快速模式 400khz 極快速模式 1mhz 支援標準電壓 vcc 2.5v 5.5v 低壓模式 vcc 1.7v 5.5v 工業級溫度範圍 40 至85 內部容量為1mbi...
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