瞬態抑制二極體
屬於齊納二極體（zener）
工作在反向擊穿狀態，電流大範圍變化，電壓會穩定在乙個值
雪崩擊穿：
材料摻雜濃度較低的pn結中，當pn結反向電壓增加時，空間電荷區中的電場隨著增強。這樣通過空間電荷區的電子和空穴，就會在電場作用下，使獲得的能量增大。在晶體中執行的電子和空穴將不斷的與晶體原子發生碰撞，通過這樣的碰撞可使束縛在共價鍵中的價電子碰撞出來，產生自由電子-空穴對。新產生的載流子在電場作用下撞出其他價電子，又產生新的自由電子和空穴對。如此連鎖反應，使得阻擋層中的載流子的數量雪崩式地增加，流過pn結的電流就急劇增大擊穿pn結。
長期工作在反向擊穿狀態會變為熱擊穿。
齊納擊穿：
當pn結的摻雜濃度很高時，阻擋層就十分薄。這種阻擋層特別薄的pn結，只要加上不大的反向電壓，阻擋層內部的電場強度就可達到非常高的數值。這種很強的電場強度可以把阻擋層內中性原子的價電子直接從共價鍵中拉出來，變為自由電子，同時產生空穴，這個過程稱為場致激發。由場致激發而產生大量的載流子，使pn結的反向電流劇增，呈現反向擊穿現象。
長期、穩定地工作在反向擊穿狀態而不損壞二極體。
熱擊穿：
熱擊穿的本質是處於電場中的介質，由於其中的介質損耗而產生熱量，就是電勢能轉換為熱量，當外加電壓足夠高時，就可能從散熱與發熱的熱平衡狀態轉入不平衡狀態，若發出的熱量比散去的多，介質溫度將愈來愈高，直至出現永久性損壞。
穩壓二極體工作在反向擊穿狀態，則伏安特性：
vz：標稱穩定電壓
pz：額定功率
izt：額定工作電流
izk：最小穩定工作電流
izm：最大穩定工作電流=pz/vz
ir：反向漏電流
yz：動態電阻
穩壓二極體一般併聯在負載電路兩端
例：若想使url=5.1v，則將5.1v穩壓二極體上正下負併聯在rl兩端，當u>5.1v時，電流洩放，電壓下降
r：限流電阻
不能過大，否則穩壓管無法進入反向擊穿區
不能過小，否則工作點電流過大甚至超過最大穩定工作電流
如何實現穩壓？
意義：保護（防止熱擊穿）+控制（設定工作電流，避免工作電流過小）
保護穩壓二極體，避免工作電流過大
給穩壓二極體提供正常反向擊穿所需的電流，避免電流過低而失去穩壓作用
izmax的原因是uin達到最大值的同時rl阻值也為最大值
izmin的原因是uin達到最小值的同時rl阻值也為最小值
若vd=12v，則輸入電壓大小最好為2vd及以上，保證穩壓管深度擊穿
輸入端出現時間很短，瞬時功率很大的訊號就會差生干擾（電壓、電流值很大但持續時間很短），例如靜電干擾
高效能保護器件（防干擾，保護器件）
與受保護電路併聯
能夠承受瞬時大功率，對限流電阻要求不高
工作在反向截至區
輸入端有瞬時干擾訊號，瞬態抑制二極體會瞬間從反向截至區到反向擊穿區（ps級），大電流釋放後則恢復
vrwm：截止電壓
vbr：擊穿電壓
優點：切換速度快
缺點：結電容較大，不適合高頻訊號
穩壓二極體
矽穩壓二極體 簡稱矽穩壓管 實質上是乙個矽晶體二極體。穩壓二極體的例項和管子的符號如圖z0113所示。1 二極體的擊穿現象 由二極體的伏安特性可知，當加於它兩端的反偏電壓超過反向擊穿電壓之後，二極體將發生擊穿現象。二 1 雪崩擊穿 對於摻雜濃度較低的pn結，結較厚，當外加反向電壓高到一定數值時，因外...
穩壓二極體
基本釋義 穩壓二極體，是指利用pn結反向擊穿狀態，其電流可在很大範圍內變化而電壓基本不變的現象，製成的起穩壓作用的二極體。原理 穩壓二極體的伏安特性曲線的正向特性和普通二極體差不多，反向特性是在反向電壓低於反向擊穿電壓時，反向電阻很大，反向漏電流極小。但是，當反向電壓臨近反向電壓的臨界值時，反向電流...
瞬態抑制二極體
名稱中各字母的含義 例 p6ke20a是單向的 p6ke30ca是雙向的。瞬態抑制二極體是吸收浪湧功率用的，能在極短時間內承受反向電壓衝擊，使兩極間的電壓鉗位於乙個特定電壓上，避免後面的電路受到衝擊，簡單的說就是做過壓保護的。單 雙向檢測 可以用萬用表的二極體檔測試其正反方向的壓降 如果測得的結果是...