可以認為，對於乙個pn結來說，存在兩種力，一種是濃度差產生的力，一種是空間電場的力（熱運動產生的力在分析中不佔主導作用，所以暫時忽略）。在穩定狀態下，這兩種力達到了平衡。此時pn結的表現就是擴散運動被阻止，同時空間電荷區達到某個穩定的厚度。
現在拿乙個npn型的bjt，給乙個大於開啟電壓的vbe，讓發射結正偏。那麼發射結的平衡被打破，具體表現為發射結的空間電荷區厚度減小，空間電場的力減少，於是擴散運動恢復，發射區的自由電子擴散到基區。可以認為，在某個vbe值下，這些擴散的自由電子的數目/量是固定的。而且在一定範圍內增大或者減小vbe，這個量也隨之增大或者減小。雖然擴散到基區的自由電子對基區來說屬於少子型別，但因為數量較多，因此打破了集電極結原本的平衡，有一部分得以漂移到集電區。
接著，我們給乙個很小的vce。此時集電結處於正偏狀態，因為有迴路，所以前述的從發射極到集電極的自由電子定向運動產生了電流，也就是ic。接著我們逐漸加大vce，且集電結仍然處於正偏狀態，那麼對集電結來說，空間電場的力被進一步加強（因為集電結的空間電場方向是從集電區指向基區的，是吸引基區自由電子的，而正偏電壓的電場方向是與之相反的，是削弱這個空間電場的力的，vce增大，則這個正偏電壓減小，這種削弱作用就減小，反過來看就是空間電場的力進一步加強），從發射區擴散到基區的自由電子有更大的比例進入集電區，ic也隨之增大。這個過程描述的是bjt的放大區。
正如前面所說，在某個vbe值下，可以認為從發射區擴散出來的自由電子的數目/量是固定的。那麼隨著vce的加大，這些自由電子中越來越多地進入集電區，ic越來越大，當vce達到某個值時，這些自由電子幾乎全部到達了集電區，繼續增大vce，ic就幾乎不再增大了，稱bjt進入了飽和區。那麼這個臨界的vce是多大呢？按照書上的說法，這個值大於等於vbe，即vc≥vb，也就是發射極和基極短路以及發射結反偏的時候。至於為什麼這個臨界值剛好是vbe，不清楚。為什麼不可以是發射結仍然正偏或者發射結反偏一定程度時才進入放大區呢？但這解決了我的乙個疑惑，書上曾說bjt在發射結正偏和集電結反偏的情況下才能工作在放大區，而基本電流鏡中發射極和基極是短路的，卻仍工作在放大區。經過上面的分析後，就可以理解在發射極和基極短路時，bjt仍然可認為工作在放大區。
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