mos管相比於三極體，開關速度快，導通電壓低，電壓驅動簡單，所以越來越受工程師的喜歡，然而，若不當設計，哪怕是小功率mos管，也會導致晶元燒壞，原本想著更簡單的，最後變得更加複雜。這幾年來一直做高頻電源設計，也涉及嵌入式開發，對大小功率mos管，都有一定的理解，所以把心中理解的經驗總結一番，形成理論模型。mos管等效電路及應用電路如下圖所示：
把mos管的微觀模型疊加起來，就如下圖所示：
我們知道，mos管的輸入與輸出是相位相反，恰好180度，也就是等效於乙個反相器，也可以理解為乙個反相工作的運放，如下圖：
有了以上模型，就好辦了，尤其從運放這張圖中，可以一眼看出，這就是乙個反相積分電路，當輸入電阻較大時，開關速度比較緩慢，cgd這顆積分電容影響不明顯，但是當開關速度比較高，而且vdd供電電壓比較高，比如310v下，通過cgd的電流比較大，強的積分很容易引起振盪，這個振盪叫公尺勒振盪。所以cgd也叫公尺勒電容，而在mos管開關導通或者關斷的那段時間，也就是積分那段時間，叫公尺勒平台，如下圖圓圈中的那部分為公尺勒平台，右邊的是振盪嚴重的公尺勒振盪：
因為mos管的反饋引入了電容，當這個電容足夠大，並且前段訊號變化快，後端供電電壓高，三者結合起來，就會引起積分過充振盪，這個等價於溫控的pid中的i模型，要想解決解決這個公尺勒振盪，在頻率和電壓不變的情況下，一般可以提高mos管的驅動電阻，減緩開關的邊沿速度，其次比較有效的方式是增加cgs電容。在條件允許的情況下，可以在cds之間並上低內阻抗衝擊的小電容，或者用rc電路來做吸收電路。下圖給出我常用的三顆大功率mos管的電容值：lcr電橋直接測量。
從圖上可以看出，inifineon6代mos管和apt7代mos管效能遠遠不如碳化矽效能，它的各個指標都很小，當公尺勒振盪通過其他手段無法降低時，可以考慮更換更小的公尺勒電容mos管，尤其需要重視cgd要盡可能的小於cgs。
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